Au/SİO2/n-Sİ (MIS) yapının elektrik ve dielektrik karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (MIS) yapıların elektrik ve dielektrik özellikleri 1 MHz'de 120-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Sıcaklık bağımlılığı; elektriksel iletkenlik (sac) ve özdirenç (?ac), dielektrik sabiti (?'), dielektrik kayıp (?''), kayıp tanjant (tan?), elektrik modülüsün reel ve gerçek kısımları (M' and M") kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerinden elde edildi. ?', ?'' ve sac değerleri, 280-400 K sıcaklık aralığında artan sıcaklıkla üstel olarak artmaktadır. Diğer taraftan bu değerler 120 K-240 K sıcaklık aralığında hemen hemen sabit kalmaktadır. Buna ilaveten deneysel dielektrik verileri elektrik modülüs formalizmi dikkate alınarak analiz edildi. Lnsac - 1000/T grafiği düşük (120-240 K) ve yüksek (280-400 K) sıcaklık aralığında farklı eğimli iki lineer bölge vermektedir. İki farklı iletim mekanizması için aktivasyon enerjisi değerleri, düşük ve yüksek sıcaklıklar için sırasıyla 4 meV ve 201 meV olarak bulundu.