Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi

Bu çalışmada AlGaN ve InAlN bariyerli InGaN/GaN çoklu kuvantum kuyularına sahip AlQN/AlN/GaN/InGaN/GaN/AlGaN/AlN/GaN (Q=Ga,In) çokluyapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG) özellikleri 1-boyutlu kendini-eşleyebilen Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri ile incelendi. Bu çözümler sonucunda elde edilen veriler kullanılarak InAlN bariyerli çoklu kuvantum kuyulu çokluyapıların bariyer kalınlığına ve sıcaklığa bağlı elektron hareketlilikleri analiz edildi. Bu elektron hareketlilik değerlerinin kullanıldığı Simba hareketlilik modeli sayesinde InAlN bariyerli çoklu kuvantum kuyulu çokluyapıların farklı bariyer kalınlıkları, kanal uzunlukları ve geçit uzunlukları için akım-gerilim karakteristikleri incelenmiştir. Numerik ve analitik hesaplamalar sonucu elde edilen 2DEG'e ait elektron hareketliliği gibi özellikler ve akım-gerilim karakteristikleri gelecekte elektronik özellikleri daha iyi numune ve aygıtların üretilmesine yardımcı olacaktır.