Mitigation of diode reverse recovery current problem in class-D power amplifiers

Yüksek verimlilik ve güç yoğunluğu talebindeki artış sebebi ile lineer yükselteçler yerlerini daha sürdürülebilir olan anahtarlamalı tip yükselteçlere bırakmaktadır. Anahtarlamalı yükselteçler, gücün belirli zamanlarda aktarılması için açık ve kapalı olarak çalışan yarı iletken anahtarlar kullanır. Bu anahtarlamalı topolojilere D Sınıfı yükseltici denmektedir. D sınıfı yükselticiler tam köprü veya yarım köprü konfigürasyonlarını kullanmaktadır. Giriş sinyali yüksek frekanslı bir taşıyıcı ile modüle edilerek çıkış güç anahtarlarını sürmektedir. Çıkışın sürekliliği endüktif bir filtre ile sağlanmaktadır. Bu teknik sayesinde güç tüketimi, özellikle yüksek voltajlı uygulamalarda çok düşük değerlere çekilebilmektedir. Ancak bu anahtarlama kayıpları, elektromanyetik girişim ve devre karmaşıklığı gibi birçok sorunu beraberinde getirmektedir. Endüktör akım yolu bir silikon diyot barındırıyorsa bu sorunlar zıt toparlanma karakteristiği sebebi ile ciddi bir hal almaktadır. Bu tez yüksek bant genişliğinde akım ve voltaj ölçümü pratikleri, güç ve sinyal katlarını kapsayan çeşitli simülasyonlar ve zıt toparlanma akımı kaynaklı voltaj ve akım tepelerinin azaltılmasına yönelik optimizasyon yöntemleri içermektedir.