Değişik sabit akım uygulayarak oluşturulan p-Si/SiO2/Al yapılarının arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması çalışmaları

IV ÖZET Bu çalışmada, (111) yönlü, p-tip ve özdirenci 10,5-19,5 Ohm-cm. olan silisyum tek kristali kullanıldı. Kristalin parlatılmış yüzüne farklı sabit akım koşulları altında, anodik oksidasyon yöntemi ile oksit kaplandı. Anodik oksidasyon işleminde; 0,6 M NaCl + 0,3 M Na2S04 elektroliti kullanıldı. Elektrolitin pH'ı ölçüldü ve pH=6.50 olarak belirlendi. Anodik oksidasyon sırasında gerilim-zaman verileri ölçüldü. Oksitlenmiş örnekler vakum sistemi kullanılarak yaklaşık 10"5 Torr'luk basınç koşulu altında alüminyum kaplandı. îmal edilen Al /anodik oksit / p-Si yapılarının oda sıcaklığında kapasite-gerilim değerleri ölçüldü. İdeal kapasite-gerilim eğrileri herbir örnek için oda sıcaklığında hesaplanarak çizildi ve ideal eğriden sapmalardan faydalanarak arayüzey durumları bulundu. Arayüzey özellikleri MOS yapılarının C-Vg karakteristiklerinden yararlanılarak belirlendi. a, b ve c örneklerinin tümünün iyonik histeresis gösterdiği gözlendi. Örneklerin iyonik histeresis göstermelerinin nedeni, oksit içindeki hareketli iyonlardır.