ITO cam üzerine büyütülen InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heteroeklemlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi

Bu çalışmada InSe, CIS ve CIGS ince filmleri elektrokimyasal kaplama yöntemi ile cam/ITO alt tabanı üzerine kaplandı. Elde edilen filmler iki gruba ayırıldı ve bir grubu tavlandı. Hem tavlanmamış hem de tavlanmış filmlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ayrı ayrı incelendi. Daha sonra tavlanmış ve tavlanmamış cam/ITO/InSe, cam/ITO/CIS, cam/ITO/CIGS ince filmlerinin üzerine ayrı ayrı rubrene (C42H28) ve coronene (C24H12) organik yarıiletken bileşikleri PVD yöntemi ile kaplandı. Elde edilen heteroeklemlerin yapısal, yüzeysel ve optiksel özellikleri ve bu heteroeklemlere In (indiyum) kontaklar alarak karanlık ve ışıklı ortamlarda elektriksel özellikleri incelendi. XRD analizinden cam/ITO/InSe ince filminin InSe ve In2O3 fazlarını tavlandıktan sonra InSe, In6Se7 ve In2(SeO4)3 fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIS ince filminin CuInSe2, (Cu2Se)x(In2Se3)1-x, In2Se3, CuSe ve InSe fazlarını tavlandıktan sonra Cu0,28In1,72Se2,72, In2O3, (Cu2Se3)x(In2Se3)1-x, CuO, CuSe fazlarını içerdiği, cam/ITO/CIGS ince filminin CuGa2O14Se4, CuGa0,6In2,4Se5, In2O3, CuIn3Se5, In4Se3, CuGa2O4, CuO fazlarını tavlandıktan sonra CuGa0,6In0,4Se2, CuGa0,6In2,4Se5, InSe, In6Se7 fazlarını içerdiği gözlendi. Filmlerin yüzey morfolojileri AFM, SEM ve EDS ile ayrı ayrı incelendi. UV-Vis analizinden ince filmlerin yasak enerji aralıkları ve 400 ve 700 nm de geçirgenliklik değerleri belirlendi. Karanlık ve ışıklı ortamlarda gerçekleştirilen I-V karakterizasyonunda heteroeklemlerin tamamının ışığa duyarlı olduğu ve bazı filmlerin doğrultucu karakteristik gösterdiği gözlemlendi.