Elektron siklotron rezonans mikrodalga plazma (ECR-MP) sistemi ile elektrik alanın karbon bazlı yarııletken ince filmlerin özelliklerine etkileri

Bu çalışmada, karbon bazlı yarıiletken ince filmler cam ve silisyum alttabanlar üzerine Elektron Siklotron Rezonans Mikrodalga Plazma (ECR-MP) yöntemi ile depolandı. Plazma oluşumu için metan (CH4) gazı kullanıldı. Hidrojenlenmiş silisyum karbür ince filmler (SixCy: H) (silisyum kaynağı olarak substrate alınarak) ilk kez elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin optiksel, yapısal ve yüzey özellikleri spektrofotometre, Raman spektroskopisi, X-ışınları kırınımı (XRD) yöntemi ve atomik kuvvet mikroskobu kullanılarak belirlendi. Bazı filmlerin depozisyonu sırasında, depolama optimizasyonuna yardımcı olması için, plazma üzerine dış elektrik alanı uygulanmıştır. Uygulanan ön gerilimin film özelliklerine etkisi incelenmiştir. Depozisyon basıncının optik özellikler üzerindeki etkileri de gözlenmiştir. Yasak enerji aralığının uygulanan gerilimin artarken azaldığını depolama basıncının artması ile arttığını sonuçlar göstermektedir. Elektrik alanın varlığında optik geçirgenlik oranı düşemektedir. Farklı yük oranları ile C ve H iyonları farklı C/H film bölgeleri ile sonuçlanmaktadır. Ön gerilim uygulanarak depolanmış filmler ön gerilim uygulanmamış filmlere kıyasla daha kristallize ve daha düzenli yapıya sahipolduğu gözlenmiştir.