Elektrodepolama yöntemiyle yapılan Schottky diyodların elektriksel ve magnetoresistans özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 300-400µm kalınlıklı ve 3-4 ?cm öz dirençli ve Fosfor katkılı n-Si kullanarak, elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Ni/n-Si and Co/n-Si Schottky diyotların elektriksel ve magnetoresistans özellikleri incelendi. Bu diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), (C-2-V), iletkenlik-voltage (G-V) yardımıyla belirlendi. Ayrıca bu sistemlerin magnetoresistans özellikleri araştırıldı.Elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Ni/n-Si and Co/n-Si Schottky diyotların yanal homojen bariyer yükseklikleri etkin BH'leri ve idealite faktörleri arasındaki lineer ilişki yardımıyla belirlendi.Schottky bariyer yüksekliğinin oluşum teorisinde, Schottky bariyer yüksekliğinin özdeşliği ve homojenliği önemli bir konudur ve Schottky bariyer diyot ve kontakların oluşumunda önemli bir daldır. Böylece yarıiletken madde iyi karakterize edilip homojen Schottky bariyer yüksekliği, tek bir kontağın I-V karakteristiklerinden de elde edilebilir. Bu amaçla, yaklaşık 1,22x 1015 cm-3 katkı yoğunluklu Co/n-tip Si SBD lar ve yaklaşık 1,25x 1015 cm-3 katkı yoğunluklu Ni/n-tip Si diyotlar hazırlandı ve büyük BH lı lineer bölge kullanıldı. Ni/n-tip Co/n-Si yapılarının elektriksel karakteristikleri oda sıcaklığında birbiriyle karşılaştırıldı.Anahtar kelimeler: Silisyum, Schottky bariyer diyot, Bariyer inhomojenliği, Elektrodepolama yöntemi, Manyetorezistans