Au/ZrO2/N-Si MIS kontağın elektriksel ve fotoelektriksel karakterızasyonu

Metal yalıtkan yarıiletken (MIS) kontaklar birçok yarıiletken aygıtların en önemli bileşenlerinden biridir. Günümüzde klasik SiO2 kapı oksiti yerine yüksek dielektrik sabite sahip yalıtkan tabakaların kullanılması çokça çalışılmaktadır. Zirkonya geniş band aralığı (5-8 eV) ve yüksek dielektrik sabiti (ε ≈ 25) ile bu amaç için en önemli adaylardan biridir. Bu çalışmada, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısı ZrO2 ince filminin n-Si alttaş üzerinde büyütülmesi ve ince film üzerine Au buharlaştırılması ile oluşturulmuştur. Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının elektrik ve fotoelektrik karakterizasyonu oda sıcaklığında karanlıkta ve farklı ışık şiddetinde alınan akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile belirlenmiştir. Ayrıca, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının kapasite-gerilim (C-V) karakteristiği incelenmiş ve her iki yöntem ile elde edilen engel yüksekliği değerleri karşılaştırılmıştır.