GaP yarı iletkeninde optik ve elektriksel karakterizasyon
2011
0 görüntülenme
0 i̇ndirme
Danışman: Doç. Dr. Selim Acar
Özet (TR)
n-GaP yarıiletken üzerine buharlaştırma metodu ile büyütülen altın kontakların 125-375 K sıcaklık aralığında 25 K aralıklarla akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapıldı. Deney sonuçları üretilen kontağın iyi bir diyot özelliğine sahip olduğunu gösterdi. Akım iletim mekanizmaları tüm sıcaklık aralığında Poole Frenkel (PF) ve Schottky tipi iletim mekanizmaları ele alınarak incelendi. Düşük sıcaklık bölgesinde PF tipi, yüksek sıcaklık bölgesinde ise Schottky tipi iletimin baskın olduğu görüldü. Yansıma ve geçirgenlik ölçümleri ile GaP yarıiletkeninin yasak enerji aralığı 2,21 eV olarak bulundu.
Yazar
Mehmet Demir
Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır
Mehmet Demir (Yüksek Lisans Tezi). GaP yarı iletkeninde optik ve elektriksel karakterizasyon, 2011, Gazi University.
Anahtar Kelimeler
Lisans
Tüm Hakları Saklıdır
Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.
Gazi University tezlerinden daha fazlası
- Türkiye petrol ve gaz sondaj sahası iş kazaları analiz ve modellemesi(2021)
- XVI. yüzyıl Anadolu'sunda Oğuzların Karkın Boyu(2004)
- Gerçek hayattaki geometri örneklerinin sosyal bir öğrenme ortamı aracılığıyla paylaşımı: Bir durum çalışması(2021)
- İki farklı irrigasyon aktifleştirme tekniğinin farklı kök seviyelerinde hazırlanmış yapay internal rezorpsiyon kavitelerinden kalsiyum hidroksit uzaklaştırma etkinliğinin değerlendirilmesi(2021)
- Experimental development of the interfacial bond-slip model between textile reinforced mortar strips and masonry walls(2025)
- Sürdürülebilirlik ve iktidar bağlamında sözel belleğin Türk müzelerinde kullanımı(2010)