SILAR yöntemiyle (Cu-Sn) katkılı ve katkısız zno yarıiletken ince filmlerin büyütülmesi; yapısal ve elektriksel karakterizasyonu

Bu tez çalışmasında, SILAR yöntemi kullanılarak ITO alltaş üzerine büyütülen, katkısız ve Sn-Cu katkılı ZnO ince filmlerin yapısal ve elektriksek karekterizasyonu yapılmıştır. Büyütülen ince filmler 40 kat SILAR döngüsü yapılarak elde edildikten sonra 300 °C'de tavlanmışlardır. Katkılı ZnO ince filmlerde bakır (Cu) katkı oranı sabit tutularak, kalay (Sn) katkılama oranı % 1'den % 3'e değiştirilerek elde edilmiştir. Üretilen katkısız ve Sn-Cu katkılı ince filmlerin yapısal, yüzeysel morfolojik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. SEM analizlerinden katkısız ve farklı Sn-Cu katkı konsantrasyonuna bağlı olarak üretilerin filmlerin ITO alltaş üzerine küremsi (64 nm'den 177 nm'ye) birşekilde büyüdüğü ve katkı konsantrasyonuna bağlı olarak morfolojik özelliklerinin değiştiği gözlendi. Elektriksel analizlerinden (I-V) farklı katkılama işleminin olumlu sonuçlar verdiği ve üretilen ince filmlere yüksek dirençe sahip olmamasından dolayı şeffaf taşıyıcı film (TCO) olarak kullanılabileceği düşünülmektedir.