Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

Bu çalışmada, moleküler demet epitaksi sistemi ile III-V grubu epi-katman ve nanoyapılar Si (100) alttaş üzerine büyütüldü. Sb tabanlı aygıtlar için kullanılan GaSb alttaş yerine Si alttaş üzerine büyütülen GaSb epi-katmanların yüzey pürüzlülüğü, kristal kalitesi, kusur yoğunluğu ve optik özellikleri incelendi. Kristal kalitesini iyileştirmek adına çeşitli büyütme yöntemleri uygulandı ve elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak değerlendirildi. Ayrıca örgü uyumsuzluğundan kaynaklanan kusur oluşumlarını indirgemek için farklı özellikte Si alttaşlar kullanıldı ve sonuçları incelendi. Düşük boyutta fonksiyonel aygıtlar için önemli olan Si (111) alttaş üzerine GaAs nanoteller büyütüldü ve elektron mikroskobu tekniği ile büyütme parametrelerinin GaAs nanotel morfolojisine etkisi araştırıldı. Tüm çalışmada büyütülen örnekler, atomic kuvvet mikroskobu, yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı, fotolüminesans, ve elektron mikroskobu gibi tekniklerle detaylı olarak analiz edildi ve sonuçları sunuldu.