InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu

Bu tez çalışması kapsamında, InGaAs kuantum kuyulu güneş pili (QWSC) yapıları GS174 için GaAs ve GS249 için InP alttaş üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü. Büyütülen GS174 ve GS249 QWSC yapılarının öncelikle; Yüksek Çözünürlüklü X-Işınları Kırınımı (HRXRD), Atomik Kuvvet Mikroskopu (AFM), Taramalı Elektron Mikroskopu (SEM) ve İkincil İyon Kütle Spektrometresi (SIMS) analizleri yapıldı. Analizlerin ardından, GS174 ve GS249 QWSC yapılarının 1x1 cm2'lik kesilmiş ikişer parçalarına litografi ve metalizasyon adımlarını içeren fabrikasyon işlemleri yapıldı. Fabrikasyonu tamamlanan GS174 ve GS249 QWSC numunelerinin birer parçalarının ve cam alltaşın üzerine 500 Å kalınlıklı Si3N4 yansıma önleyici tabaka kaplandı. Cam alttaş üzerine kaplanan Si3N4 yansıma önleyici tabakanın UV-VIS spektrometre analizi yapılarak, yansıma önleyici tabakanın optik geçirgenlik özelliği incelendi. Si3N4 yansıma önleyici tabaka kaplanmış ve kaplanmamış GS174 ve GS249 QWSC numunelerinin Akım-Gerilim (I-V) karakteristikleri incelenerek, yansıma engelleyici tabakanın üretilen güneş hücrelerinin ışığa duyarlılığını arttırdığı gözlendi.