Theses supervised by Prof. Dr. Süleyman Özçelik
15 theses · Gazi University
III-V grubu güneş hücre yapılarının epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Bu çalışmada, III-V grubu GaAs/Ge, GaxIn1-xP/GaAs iki eklemli ve GaxIn1-xP/GaAs/Ge üç eklemli güneş hücrelerinin epitaksiyel yapı tasarımları yapıldı ve bu yapılardan aygıt uygulamaları için uygun olanlar MBE tekniği büyütüldü. Öncelikle üç eklemli hücrenin birinci eklemini oluşturan p?-n eklem Ge hücresinin kalibrasyon çalışmaları yapıldı. Bu amaçla 5 adet p-Ge alttaş üzerine As tabakalarının birikimi farklı alttaş ve tavlama sıcaklığında göç yoluyla büyütme ?migration enhanced epitaxy? ile sağlandı ve burada bir p-n eklem yapı elde edildi. Ge hücre kalibrasyonu tamamlandıktan sonra, p-n eklem Ge hücresi üzerine ikinci hücre olan p-n eklem GaAs hücresi büyütülerek iki eklemli GaAs/Ge güneş hücre yapısı elde edildi ve karakterizasyonları yapıldı. Daha sonra alaşım oranı kalibrasyonu için farklı x oranına sahip 3 adet GaxIn1-xP üçlü alaşımı GaAs alttaşlar üzerine ayrı ayrı büyütüldü ve yapıların karakterizasyonları yapıldı. GaxIn1-xP yapısnın kalibrasyon çalışmalarından sonra GaxIn1-xP/GaAs iki eklemli güneş hücre yapısı büyütüldü ve karakterizasyonları yapıldı. Son olarak, GaxIn1-xP/GaAs/Ge üç eklemli güneş hücre yapısının büyütülmesi ve karakterizasyonlarının yapılması ile çalışma tamamlandı. Yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel karakterizasyonlar için HR-XRD, SIMS, PL, AFM, SE ve HMS ölçüm sistemleri kullanıldı.
Katkısız ve katkılı (Sb) Ge tek kristallerin büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmada, katkılı ve katkısız Ge tek kristalleri Czochralski (CZ) kristal büyütme tekniği ile büyütüldü. (111) yönelimli büyütülen Ge tek kristallerin, yapısal ve optik özellikleri yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD), Fourier dönüşümlü kızılötesi spektroskopi (FTIR) ve spektroskopik elipsometre (SE) analiz yöntemleri ile karakterize edildi. Katkısız ve Sb katkılı Ge tek kristaller için HRXRD ölçümlerinden elde edilen w-2q X-ışını kırınım desenlerinden kristallerin 111 yöneliminde büyüdüğü görüldü ve örgü parametresi bulundu. FTIR analizleri sonucunda 2-12 µm aralığında optik geçirgenliğin >%45 olduğu görüldü. SE analiz yöntemiyle kristallerin kırılma indisi ve yasak enerji aralığı bulundu. Tüm bu sonuçlarla üretilen Ge tek kristallerin kızıl ötesi sistemlerde mercek veya optik pencere kullanımına uygun olduğu görüldü.
InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu
Bu tez çalışması kapsamında, InGaAs kuantum kuyulu güneş pili (QWSC) yapıları GS174 için GaAs ve GS249 için InP alttaş üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü. Büyütülen GS174 ve GS249 QWSC yapılarının öncelikle; Yüksek Çözünürlüklü X-Işınları Kırınımı (HRXRD), Atomik Kuvvet Mikroskopu (AFM), Taramalı Elektron Mikroskopu (SEM) ve İkincil İyon Kütle Spektrometresi (SIMS) analizleri yapıldı. Analizlerin ardından, GS174 ve GS249 QWSC yapılarının 1x1 cm2'lik kesilmiş ikişer parçalarına litografi ve metalizasyon adımlarını içeren fabrikasyon işlemleri yapıldı. Fabrikasyonu tamamlanan GS174 ve GS249 QWSC numunelerinin birer parçalarının ve cam alltaşın üzerine 500 Å kalınlıklı Si3N4 yansıma önleyici tabaka kaplandı. Cam alttaş üzerine kaplanan Si3N4 yansıma önleyici tabakanın UV-VIS spektrometre analizi yapılarak, yansıma önleyici tabakanın optik geçirgenlik özelliği incelendi. Si3N4 yansıma önleyici tabaka kaplanmış ve kaplanmamış GS174 ve GS249 QWSC numunelerinin Akım-Gerilim (I-V) karakteristikleri incelenerek, yansıma engelleyici tabakanın üretilen güneş hücrelerinin ışığa duyarlılığını arttırdığı gözlendi.
GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Bu çalışmada, GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörler (HEMT) için yeni epitaksiyel yapıların tasarımı yapıldı ve MOCVD tekniği ile büyütüldü. Elde edilen yapıların elektriksel ve yapısal özellikleri incelendi. Tasarlanan HEMT yapılarından InGaN arka bariyerli AlGaN/AlN/GaN yapıları, AlGaN tampon tabakalı AlInN/AlN/GaN yapılar ve AlInN/AlGaN çift bariyerli yapılar büyütüldü ve malzeme analizleri yapıldı. Yapısal incelemeler için AFM ve yüksek çözünürlüklü XRD tekniği, elektriksel analizler için sıcaklığa (30-300K) ve manyetik alana (0-1,4 Tesla) bağlı Hall Etkisi sistemi kullanıldı. HEMT yapıları için önemli olan saçılma analizleri yapılarak etkin saçılma mekanizmaları belirlendi. InGaN arka bariyer kullanılmasının kanaldaki elektron sınırlanmasını ve mobiliteyi artırdığı gözlendi. AlInN bariyerli yapılar üzerinde transistör aygıtları üretilerek karakterize edildi. Farklı epitaksiyel yapı tasarımlarının HEMT aygıt performansı üzerindeki etkileri incelendi. AlGaN tampon tabakalı HEMT yapıları üzerinde üretilen aygıtlarda standart yapılara göre düşük sızma akımları ve yüksek kırılma gerilimleri elde edildi.Anahtar Kelimeler : AlInN, AlGaN, GaN, HEMT, Hall etkisi, Saçılma
AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi
Bu çalışmada, iki adet AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.20, 0.22) kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektör yapısı ve bir adet AlGaAs/GaAs kalibrasyon numunesi moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülmüştür. AlGaAs/GaAs materyal sistemleri mükemmel örgü uyumları ve MBE yöntemiyle de yüksek kalitede büyütülebildikleri için kızılötesi dedektör teknolojilerinde oldukça geniş bir şekilde kullanılmaktadır. Büyütülen fotodedektörler yüksek çözünürlüklü x-ışınları kırınımı ve fotolüminesans ölçümleriyle yapısal olarak karakterize edilmiş, Hall etkisi ölçümleriyle kalibrasyon numunesinin ve dedektörlerin elektriksel parametreleri bulunmuş ve dedektörlerin fabrikasyonları tamamlandıktan sonra karanlık akım-voltaj karakteristikleri sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilmiştir. Karanlık akım değerleri yüksek sıcaklıkta termi-iyonik emisyon teorisiyle açıklanmıştır. Ölçüm sonucunda, bandtan-sürekli duruma geçişe sahip dedektörün bandtan-banda geçişe sahip dedektöre göre 103 kat daha düşük bir karanlık akıma sahip olduğu görülmüştür.
InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi
Bu çalışmada kullanılan 1,3 ve 1,55 ?m ışıma dalgaboylu InxGa1-xAsyP1-y/InPçoklu kuantum kuyulu lazer diyot yapıları metal organik kimyasal buharbiriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütüldü. Büyütülen yapıların çatı dalgakılavuzlu Fabry-Perot lazer diyot fabrikasyonu farklı tipteki pasivasyontabakaları (SiO2 ve SiNx) kullanılarak fotolitografi sistemi yardımıyla yapıldı.Lazer diyot parametre analizleri sonucunda, SiO2 pasivasyon tabakalı lazerindaha düşük eşik akımına, diferansiyel dirence ve daha yüksek çıkış gücünesahip olduğu görüldü. p-InGaAs kontak tabakalı lazer diyotlar için omikkontakların geliştirilmesi amacıyla Transmisyon Çizgi Modeli (TLM)numunelerinin fabrikasyonu yapıldı. Bilgimiz dahilinde, p-InGaAs tabakası içinaltın içeren ve içermeyen nadir bulunur metal silikat omik kontaklar ilk defaoluşturularak, kontakların analizi TLM kullanılarak gerçekleştirildi. Yapılananalizler sonucunda, elde edilen karakteristik kontak direncinin günümüzoptoelektronik aygıtlarının sahip olduğu karakteristik kontak direnci ile aynımertebede olduğu görüldü.
GaInP ve InGaAs kuantum kuyulu güneş pillerinin (QWSC) üretimi
Bu tez çalışması kapsamında, GaInP ve InGaAs kuantum kuyulu güneş pili (QWSC) yapıları GaAs alttaşlar üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü. Büyütülen QWSC yapıları birçok parçaya kesilerek, bazı parçalar farklı sıcaklıklarda hızlı termal tavlama (RTA) sistemi yardımıyla azot (N2) ortamında, tavlandı. Tavlanan ve tavlanmayan yapıların, yüksek çözünürlüklü X-ışınları difraksiyonu (HRXRD) ile yapısal özellikleri incelendi. Tavlama sonucunda oluşan kusurların, yapıların büyüme koşulları, kalınlıkları, indiyum oranları gibi farklı özelliklere sahip olmasına atfedildi. Tavlanmış ve tavlanmamış QWSC'lerin fabrikasyonu tamamlanarak, güneş pili için önemli olan ileri beslem karanlık, ve AM1.5G standart ışık şiddeti altında akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V ölçümleri sonucunda GaInP ve InGaAs QWSC'lerin kısa devre akımları (Isc), açık devre gerilimlari (Voc), dolum çarpanları (FF), enerji dönüşüm verimleri (?) bulundu. Tavlama işleminden önce GaInP ve InGaAs QWSC'lerin verimi 0,14 iken, tavlamadan sonra verimlerin sırasıyla 0,16 ve 0,15 olduğu görüldü ve tavlama işleminin pil verimini attırdığı sonucuna varıldı.
AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Bu çalısmada elektronik ve opto-elektronik cihazların üretilmesinde kullanılan AlxGa1-xAs/GaAs tek kuantum kuyulu (QW), AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN çoklu kuantum kuyulularının (MQWs) büyütülerek, optik ve yapısal özellikleri incelendi. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile InxGa1-xN/GaN LED ise Metal Organik Buhar Faz Birikimi (MOVCD) teknikleri ile büyütüldü. Büyütülen AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN yarıiletkenlerinin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Isını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Fotolüminesans (PL) sistemleriyle belirlendi. Anahtar Kelimeler :MBE, MOVCD, QW, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN
Al0,2Ga0,8As/GaAs çoklu kuantum kuyusunun yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Bu tez çalışmasında Al0,2Ga0,8As/ GaAs çoklu kuantum kuyusu (MQW) Moleküler Demet Epitaksi (V80H-MBE) ile büyütüldü. Büyütülen Al0,2Ga0,8As/ GaAs bileşik yarıiletkeninin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HR-XRD), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Optik Mikroskop sistemleriyle belirlendi.
Atom metal yüzey etkileşmesi
iiiATOM METAL YÜZEY ETKİLEŞMESİ(Doktora Tezi)Can Doğan VURDUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada, gaz-fazlı H (veya D) atomu ile Cu(111) yüzeyi üzerine tutunmuşD (veya H) atomlarının reaksiyon dinamiği, bir yarı-klasik moleküler dinamikçalışması ile yapıldı. 30 K ve 94 K yüzey sıcaklıklarında H(D) --> D(H) +Cu(111) sisteminin simülasyonunu yapmak için; yüzeyde tutunan D (veya H)atomları 18%, 28% ve 50% kaplama oluşturacak biçimde Cu(111) yüzeyiüzerinde gelişigüzel yerleştirildi. Bu sistemin etkileşmesi, bir LEPS fonksiyonuile hesaplandı. LEPS parametreleri, bir ve iki hidrojen atomunun Cu(111)yüzeyi üzerinde farklı yerleşimleri için DFT ve GGA metodu ile hesaplanmışenerji değerleri kullanılarak bulundu. Bu sıcaklıklarda ve kaplamaoranlarında, sıcak-atom ?SA? veya Eley-Rideal ?ER? mekanizması yolu ileoluşan H2, D2, ve HD ürünlerine ait; reaksiyon süresi, dönme, titreşim, toplamve öteleme enerji dağılımları için olasılıklar hesaplandı. Ayrıca, yüzeydetuzaklanma, gelen atomun esnek olmayan saçılması ve yüzeyde tutunan atomunveya gelen atomun tabakanın içine girmesi gibi çeşitli oluşumlar analiz edildi.Bu sistemin izotopik yer değiştirme ve yüzey sıcaklığına bağlılığı incelendi vesıcak-atom yolunun ürün oluşumundaki önemli katkıları gösterildi.Bilim Kodu : 202Anahtar Kelimeler : Yüzeye tutunma, Moleküler Dinamik, PEYSayfa Adedi : 85Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK
Pb1-xSnxTe/BaF2 yarıiletkenin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Pbı_xSnxTe YARIİLETKENİNİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİK ÖfCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Ali İhsan KILIÇ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ OCAK 2005 ÖZET Bu çalışmada BaF2 üzerine büyütülen p-tipli PbSnTe ve n-tipli PbSnTe yaniletkenlerinin elektron ileum özelikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail mobilitesi, ve taşıyıcı yoğunlukları p-tipli malzeme PbSnTe için 44-302 K Ye n- tipli PbSnTe için 19-344 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Özdirenç Gruneissen- block denklemi, lineer model ve Güç modeli kullanılarak analiz edildi. Hail mobilitesi ve Taşıyıcı yoğunluklarının deneysel sonuçları tartışıldı. Bilim kodu Anahtar kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi 404.03.01 PbSnTe, elektron iletimi, Hail mobilitesi 47 Prof.Dr. Süleyman Özçelik
AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanoyapısının büyütülmesi ve I-V özelliklerinin incelenmesi
iiiAl0.2Ga0.8As/GaAs (100) NANOYAPISININ BÜYÜTÜLMESİ VE I-VÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Hilal GÜMÜŞGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜEylül 2005ÖZETBu çalışmada SEMİCON VG80H Moleküler Demet Epitaxy (MBE) cihazıkullanılarak Al0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısı büyütüldü. BüyütülenAl0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısının yapısal analizi yüksekçözünürlüklü X-ışını kırınımı yöntemi (HRXRD) ile yapıldı. Rocking vereflectivity ölçümleri D8 discover X-ray cihazı kullanılarak yapıldı. X-ışınıcihazında ölçülen rocking eğrileri hem kinematik hem de dinamik metotlarıkullanan LEPTOS programı ile simule edildi. Elde edilen Rocking eğrilerindekiuydu piklerinin varlığı büyütülen epitabakaların yeterli incelikte vehomojenlikte olduğunu kanıtlamaktadır. Büyütülen Al0.2Ga0.8As/GaAssüperörgü yapısının elektriksel karakteristiklerinin incelenebilmesi içinAu/GaAs kontak yapıldı. Au/Al0.2Ga0.8As/GaAs yapısının akım-voltaj-sıcaklık(I-V-T) karakteristikleri geniş bir sıcaklık aralığında (80 K- 400 K) incelendi.Bilim Kodu : 404.05.01Anahtar Kelimeler : MBE, AlxGa1-xAs/GaAs, elektriksel karakterizasyon,yapısal karakterizasyon, I-VSayfa Adedi : 100Tez Yöneticisi : Prof. Dr.Süleyman ÖZÇELİK
Cu n(n=30-71) atom topaklarının geometrik yapılarının ve erime dinamiğinin incelenmesi
Cu" (n=30-71) ATOM TOPAKLARININ GEOMETRİK YAPILARININ VE ERİME DİNAMİĞİNİN İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Saime Şebnem ÇETİN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ağustos 2003 ÖZET Cun (n=30-71) topaklarının en kararlı geometrilerinin yapısı ve enerjileri Moleküler Dinamik Simülasyon ve termal soğutma tekniği kullanılarak elde edildi. Topak atomları arasındaki etkileşmeler Voter ve Chen tarafından parametrize edilmiş Embedded Atom Model potansiyel enerji fonksiyonu ile tanımlandı. Cu" (n=38, 40, 43, 45, 51, 54, 55, 56, 57, 59) topaklarının en kararlı izomerlerinin erime davranışları, kare ortalama karekök (rms) dalgalanmaları hesaplanarak çalışıldı. Erime sıcaklığı, katı-sıvı faz geçişleri ve izomerler arası geçişler, kısa-zaman ortalama kinetik enerjileri kullanarak incelendi. Bilim Kodu : 404.03.01 Anahtar Kelimeler : Bakır, Atom topağı, Embedded Atom Modeli, Faz Geçişi, Moleküler Dinamik Simülasyon. Sayfa Adedi : 95 Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK
Yarıiletken nem sensörlerinin geliştirilmesi
Bu tez çalışmasında, esnek (kapton) ve esnek olmayan (Al2O3) alttaşlar üzerine titanyum dioksit (TiO2) ve kalay dioksit (SnO2) algılama katmanına sahip nem sensörleri geliştirildi. Temelde nem sensörleri alttaş, elektrot ve aktif/algılayıcı katman olmak üzere üç katmandan oluşur. Sensörlerin elektrotları iki farklı teknikle oluşturuldu: İlk olarak, vakumlu kaplama tekniklerinden eş-püskürtme ve ısıl buharlaştırma yöntemi ile 4 x 7 mm2 lik Al2O3 alttaşlar üzerine Altın (Au) ve Platin (Pt) kaplanarak vakumsuz ortamda lazer ablasyon ile iki farklı desene sahip elektrotlar oluşturuldu. İkinci olarak, vakumsuz kaplama tekniklerinden biri olan mürekkepli baskı (ink-jet) tekniği ile Gümüş (Ag) elektrotlar inkscape programı ile kapton alttaşlar üzerine işlendi. Al2O3 alttaşlar üzerine işlenen elektrotların üzerine püskürtme yöntemi ve vakumsuz kaplama tekniklerinden; daldırma, doktor bıçağı ve ultrasonik banyo kaplama tekniği ile aktif katman kaplandı. Kapton alttaş üzerine çizilen elektrotlar üzerine de daldırma tekniği ile algılayıcı katman oluşturuldu. Böylece, algılama katmanı ve elektrot tasarımı bakımından farklılıkları olan on bir adet nem sensörü geliştirildi. Geliştirilen algılama katmanlarının yapısal ve optik karakterleri belirlendi. Geliştirilen nem sensörlerinin çıktı parametreleri farklı nem ortamında ∆R=(R(%70)-R(%40))nem direnç değişimi baz alınarak değerlendirildi. Dirençteki değişimin artması nem sensöründeki hassasiyetin artması olarak yorumlandı. Eş-püskürtme tekniği ile üretilen sensörde 3715kΩ direnç farkı olduğu görüldü. Vakumsuz kaplama tekniklerinden ink-jet baskı tekniği ile üretilen esnek nem sensörlerinin direnç farkı TiO2 için 3800kΩ ve SnO2 için 4500kΩ olarak belirlendi. Bu durum SnO2 malzemesinin neme daha duyarlı olduğu şeklinde yorumlandı. Al2O3 alttaş üzerine TiO2 karışımı kullanılarak daldırma tekniği ile üretilen sensörün üretilen tüm sensörler içerisinde en yüksek direnç farkına sahip olduğu görüldü. Doktor bıçağı yöntemleriyle TiO2 kaplanan nem sensörü 1379kΩ'luk direnç farkı gösterirken ultrasonik banyoda kaplanan nem sensörü 120kΩ direnç farkı gösterdi. Vakumsuz kaplama yöntemlerinin kullanımının nem sensörlerinin üretim maliyetlerini düşürdüğü ve nem sensörü üretimi için avataj sağlayabileceği değerlendirildi.
Enerji verimli yüzeylerin geliştirilmesi
Düşük yayıcı kaplamalar binaların ısınma ve soğutma giderlerini azaltmak amacı ile kullanılan yöntemlerden bir tanesidir. Bu sayede binalarda kullanılan enerji daha verimli hale gelmekte ve tasarruf sağlanmaktadır. Bu tez çalışmasında cam alttaş üzerine dielektrik/metal/dielektrik yapısı geliştirilerek enerji verimli yüzey elde edilmeye çalışıldı. Bu yapının haricinde cam alttaş ile yapı arasına yüzey pürüzlülüğünü azaltmak ve yapıyı korumak adına bir bariyer katmanı da kaplandı. İlk olarak kaplanacak malzemeleri belirlemek amacı ile optik tasarım programı kullanılarak tasarımlar yapıldı. Tasarım çalışmaları sonucunda bariyer katmanı olarak Al2O3 malzemesi tercih edilirken dielektrik katmanı olarak AZO ve metal katmanı olarak da Ag tercih edildi. En uygun kaplama koşullarının belirlenebilmesi için her katman farklı basınç, farklı güç ve farklı kalınlıklarda hazırlandı. Elde edilen sonuçlar analiz edilerek en uygun parametreler belirlendi. A2O3 için uygun kalınlık daha önce yapılan çalışmalar ışığında 25 nm olarak belirlenirken kaplama gaz akışı 5 sccm ve kaplama gücü 150 W RF olarak belirlendi. AZO katmanı için kalınlıklar alt AZO katmanı için 10 nm ve üst AZO katmanı için ise 20 nm olarak belirlenirken kaplama gaz akışı 5 sccm ve kaplama gücü 100 W RF olarak belirlendi. Ag katmanı için ilk olarak 10 nm kalınlıklı, farklı gaz akış değerlerinde kaplamalar yapıldı. Görünür bölgede en yüksek geçirgenlik değerini veren 5 sccm ve kızılötesi bölgede en düşük geçirgenlik değerini veren 50 sccm Argon gaz akışı değerlerinde optimizasyon çalışmalarına devam edildi. Belirlenen Argon gaz akışlarında farklı güç değerleri için kaplamalar yapıldı ve her iki gaz akışı değeri için de 25 W DC güç değerinin en uygun sonucu verdiği görüldü. Sonrasında her iki gaz akışı değeri için de 25 W DC güçte farklı kalınlıklarda kaplamalar yapıldı. Farklı kalınlıklarda hazırlanan Ag filmlerde, 50 sccm gaz akışında 5 nm kalınlıklı sürekli filmler elde edilebilirken, 5 sccm gaz akışında üretilen en ince sürekli filmin 7 nm kalınlıklı olduğu görüldü. Hazırlanan filmler analiz edilerek 50 sccm gaz akışında Ag atomlarının enerjilerinin azaldığını, atomların bir araya gelerek adacıklı büyümeyi tercih etmek yerine yüzeye daha homojen yayılarak, daha az boşluğa sahip ince filmler haline geldiği görüldü. Hazırlanan AZO/Ag/AZO/Al2O3/Cam yapısının 500 nm'de yaklaşık %85 optik geçirgenlik sağladığı, 2,5 µm ve 8 µm'de sırası ile %79 ve %84 yansıtma değerine sahip olduğu yapılan optik analizler sonucunda belirlendi. Hazırlanan bu yapının, yüzey direnci değeri kullanılarak yayma oranı 0,055 olarak hesaplandı. Bu değerin düşük yayıcı özelliğe sahip ticari ürünler ile rekabet edebilecek seviyede olduğu görüldü. Ayrıca belirtilen sonuçlara 5 nm kalınlığında Ag ince filmler ile ulaşılabilmesi çalışmanın değerini daha da arttırmaktadır.