Ingan-kuvantum kuyulu AllnN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapılarında elektron iletim özelliklerinin incelenmesi
Bu tez size mi ait?
Bu kayıt toplu arşivden geldi. Sizinse profilinize bağlayın.
Özet (TR)
Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet InxGa1-xNkuvantum kuyulu AlInN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapı için Hall ölçümleri ve özdirenç analizleri gerçekleştirildi. Özdirenç, Hall hareketliliği ve taşıyıcı yoğunluğu 15-300K sıcaklık aralığında, 0,4T manyetik alan altında ölçüldü. x=0 , 0,12 ve 0,18 değerlerine sahip numunelerin elektron iletim özellikleri açıklandı. Ayrıca elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmaları üzerine tartışıldı. Yapılan özdirenç ölçümlerine bağlı olarak özdirenç analizleri gerçekleştirilmiştir.Anahtar Kelimeler : MOVPE, InxGa1-xN-kuvantum kuyu, saçılma analizi, özdirenç ölçümü, ?0 önfaktörü, Pudalov teorisi
Yazar
Gülser Karakoç
Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır
Gülser Karakoç (Yüksek Lisans Tezi). Ingan-kuvantum kuyulu AllnN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapılarında elektron iletim özelliklerinin incelenmesi, 2012, Gazi University.
Anahtar Kelimeler
Lisans
Tüm Hakları Saklıdır
Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.
Gazi University tezlerinden daha fazlası
- Türkiye petrol ve gaz sondaj sahası iş kazaları analiz ve modellemesi(2021)
- XVI. yüzyıl Anadolu'sunda Oğuzların Karkın Boyu(2004)
- Experimental development of the interfacial bond-slip model between textile reinforced mortar strips and masonry walls(2025)
- Gerçek hayattaki geometri örneklerinin sosyal bir öğrenme ortamı aracılığıyla paylaşımı: Bir durum çalışması(2021)
- İki farklı irrigasyon aktifleştirme tekniğinin farklı kök seviyelerinde hazırlanmış yapay internal rezorpsiyon kavitelerinden kalsiyum hidroksit uzaklaştırma etkinliğinin değerlendirilmesi(2021)
- Sürdürülebilirlik ve iktidar bağlamında sözel belleğin Türk müzelerinde kullanımı(2010)