InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi
2007
0 views
0 downloads
Advisor: Prof.dr. Tofig Mammadov
Abstract (TR)
InGaP YARIİLETKENİNDE MOBİLİTE ANALİZİ(Yüksek Lisans Tezi)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütmeyöntemi ile GaAs üzerine büyütülen n tipi In0,5Ga0,5P yarıiletkeninin elektroniletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hall Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hall Mobilitesi, ISBE ve iki bant modelikullanılarak analiz edildi. Hall taşıyıcı yoğunluğu ise Park modeli kullanılarakanaliz edildi. Alıcı ve verici safsızlık yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisitahmin edildi.Bilim Kodu : 202.1.003Anahtar Kelimeler : InGaP, Elektron İletimi, Hall Mobilitesi, ISBESayfa Adedi : 53Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Tofig MAMMADOV
Author
Dr. Sedef Şebnem Tunalıoğlu
How to Cite
Sedef Şebnem Tunalıoğlu (Yüksek Lisans Tezi). InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi, 2007, Gazi University.
Keywords
License
Tüm Hakları Saklıdır
This work is shared under the specified license terms.
More theses from Gazi University
- Türkiye petrol ve gaz sondaj sahası iş kazaları analiz ve modellemesi(2021)
- Experimental development of the interfacial bond-slip model between textile reinforced mortar strips and masonry walls(2025)
- Bilgisayar destekli ve doğrudan strateji öğretimimin okuduğunu anlamaya etkisi(2021)
- Mühendis adayı öğrencilerinin integral problem çözüm süreçlerinin bloom taksonomisi ile kavramsal ve işlemsel bilgi açısından incelenmesi(2021)
- Filtreli dinamik kompanzasyon(2008)
- Türkiye'de üretilen betonun kalite tespiti üzerine bir yöntem önerisi(2008)