Passivation of InSb infrared photodetectors

Kızılötesi dedektörler hem askeri hem de sivil alanda çok geniş uygulamalara sahiptir.En çok kullanılan dedektör çeşitlerinden bir tanesi InSb dedektörlerdir. InSb dedektör teknolojisi1950lerden beri gelişimini sürdürmektedir. InSb dedektör üretiminde en çok kullanılan yöntemlerdenbiri de p-n diyot yapımıdır. Oda sıcaklığında yüksek serbest taşıyıcı yoğunluğuna sahip olan InSb dedektörler etkili çalışabilmeleri için soğutulmalıdırlar, soğutma için tercihensıvı azot kullanılır. 77 K sıcaklığa rağmen, tünelleme, üretme-tüketme ve yüzey kaçağıetkileri gürültüye yani karanlık akıma neden olmaktadır. Sinyal / Gürültü oranının iyileştirilmesiana amaçtır. Gürültüyü azaltmanın yollarından biri de dedektör kenarlarının pasifleştirilmesidir.Kenarların pasifleştirilmesi yüzey durumlarını (asılı bağlar) bertaraf ederek yüzey kaçağındaazalmaya sebep olur. Pasifleştirme işleminde genellikle SiO2 ve SiNx gibi yalıtkan filmlerkullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında, değişik boyutlarda dedektörlerin üretilmesi,akım-voltaj ve tayf tepkisi ölçümleri yapılmıştır. Pasifleştirme için değişik malzemeler kullanılmışve bu değişik işlemlerin sonuçlarının detaylı bir karşılaştırması sunulmuştur.