İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu

Tez çalışmasında, sol-gel türevli ZnO, Al-katkılı ZnO (AZO) ve Ga-katkılı ZnO (GZO) ince filmlerin GZO filmleri üzerinde durulması, biriktirilmesi ve optimizasyonu amaçlanmıştır. Filmler, spin kaplama tekniği kullanılarak cam substratlar üzerinde başarıyla biriktirildi ve optik ve elektriksel özellikleri, optoelektronik cihaz uygulamaları için uygun olacak şekilde optimize edildi. GZO filmlerinin p-Si substratına biriktirilmesiyle, p-n (GZO/p-Si) heterojeksiyonları başarıyla oluşturuldu ve GZO/p-Si bazlı optoelektronik cihazlar imal edildi ve optimize edildi. GZO/p-Si cihazlarının metal nanoparçacıklar (NP'ler) vasıtasıyla optik tepkisinde gelişme potansiyeli, GZO tabakası üzerinde işlenen 100 nm boyunda Ag ve Au NP'lerin döndürülerek kaplanmasıyla incelenmiştir. Depolanan ZnO ince filmlerin yapısal, yüzey morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri x-ışını difraktometresi (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM), atomik kuvvet mikroskobu (AFM), UV-vis spektroskopisi ve dördü kullanılarak incelenmiştir. puanlı prob ve Hall efekt ölçüm sistemleri. Elektriksel iletkenliğin emme katsayısına oranı, filmlerin kalitesini değerlendirmek için bir değer (FOM) olarak kullanılmıştır. Depolanan AZO ve GZO ince filmleri için ~ 1.6x10-5 -1 FOM değeri ölçüldü.GZO/p-Si cihazlarının performansı karanlıkta ve AM1.5 ve UV aydınlatma koşullarında ölçülen akım-gerilim (I-V) özelliklerinden analiz edildi. Literatür ile karşılaştırıldığında, mükemmel düzeltme davranışı, yüksek fotoreopozivite ve rekabetçi fotovoltiac özelliği cihazlar tarafından sergilendi. Au ve Ag metal NP'lerinin cihazlara dahil edilmesi, optik absorpsiyonun artmasına neden oldu ve sonuç olarak cihazların fotoelektrik özellikler bakımından performansını arttırdı.