InxGa1-xAs / GaAs çoklu kuantum kuyu yapısının mbe tekniği ile büyütülmesi: Yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada Semicon VG80H Moleküler Demet Epitaksi sistemi kullanılarak InxGa1-xAs/GaAs çoklu kuantum kuyu yapısı büyütüldü. Büyütülen bu yapının yapısal analizi X-ışını kırınımı yöntemi kullanılarak yapıldı. Elde edilen Rocking eğrileri malzemede yer alan çoklu tabakaların ara yüzey pürüzlülüğünün az olduğunu ve tabakaların homojen olarak büyütüldüğü gözlendi. Yapının sıcaklığa bağlı optiksel analizi Fotolüminesans yöntemi ile yapıldı. Oda sıcaklığında yapılan ölçümlerden malzemenin yasak bant aralığı ve In kompozisyon oranı tayin edildi. Düşük sıcaklık ölçümlerinden ise pik enerjisi, aktivasyon enerjisi ve pik yarı genişliği hesabı yapıldı. Büyütülen çoklu kuantum kuyu yapısının elektriksel karakteristiklerinin incelenebilmesi için Au kontaklar yapıldı ve sıcaklık bağımlı (80-295 K) akım-gerilim özellikleri incelenmiştir. Yapılan analizler sonucunda, idealite faktörünün sıcaklıkla azalırken sıfır-beslem engel yüksekliğinin sıcaklıkla arttığı gözlemlendi.