InxGa1-xP/GaAs yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özelliklerinin incelenmesi

Bu tez çalışmasında, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülen Si ve Be katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özellikleri araştırıldı. Sıcaklık bağımlı Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 0,4 Tesla sabit manyetik alan altında 30-300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Geleneksel analiz yöntemleri kullanılarak, katkılı InxGa1-xP/GaAs yarıiletkenlerinde iletkenliğin safsızlık bandında gerçekleştiği ve iletimin metalik tipte olduğu tespit edildi. Ölçüm sonuçları, safsızlık bandı iletiminin metalik modeli kullanılarak analiz edildi ve iletkenlik parametreleri elde edildi. Bulunan parametrelerin literatür ile uyumlu olduğu görüldü. Sonuç olarak; katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinde, elektron-elektron ve zayıf lokalizasyon etkileşimlerinin baskın olduğu belirlendi.