MIS yapıların frekans ve radyasyona bağlı temel elektriksel parametreleri

Bu çalışmada, Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların bazı temel elektrikselparametreleri frekans ve radyasyona bağlı incelendi. Al/SiO2/p-Si yapınınkapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri farklıfrekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu ölçümlerden yapınınseri direnç, arayüzey durumları gibi bazı temel elektriksel parametreleri60frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co gama ışını kaynağındafarklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalartekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapılarınhemen hemen tüm temel elektiksel parametrelerinin yapıdaki arayüzeydurum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilimine, frekansa veradyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiği gözlenmiştir.Bilim Kodu : 202. 1. 147Anahtar Kelimeler : MIS yapı, frekansa bağlılık, radyasyon etkisi, seri direnç,arayüzey durumlarSayfa Adedi : 54Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL