N-GaP yarıiletkeni ile hazırlanan metal yarıiletken kontakların diyot ve optik özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, (100) yönelimli, 300?m kalınlığında, 1x1018cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi GaP yarıiletken üzerine metal buharlaştırma metodu ile uygulanan temizlik yöntemine göre oksit tabakalı ve oksit tabakasız Au/n-GaP yapılar oluşturuldu. Bu yapıların temel bazı elektriksel parametreleri 80-380K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan bu yapıların 80-380K sıcaklık aralığında yapılan akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ?B ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Ayrıca ışık altındaki ölçümlerden dolum faktörü, verim, kısa devre akımı, açık devre gerilimi hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği sırasıyla oksitsiz ve oksitli numune için 0.485 eV ve 0,696 eV, idealite faktörü ise 1.17 ve 1,27 olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı, engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. Işık kaynağı kullanılarak farklı ışık kaynağı çıkış güçlerinde 5-250 watt aralığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümlerden elde edilen veriler kullanılarak güneş pili parametreleri hesaplandı. Işık kaynağından 250 watt'lık çıkış gücü için doluluk faktörü sırasıyla oksitsiz ve oksitli numune için 41.61 % ve 73.14 %, verim 11.56 % ve 15.61 % olarak bulundu. Schottky diyotların engel yüksekliği, idealite faktörleri farklı dalga boylarına sahip ışık filtreleri kullanılarak 50-250 watt aralığında beş farklı ışık şiddeti için hesaplandı. Engel yükseklikleri ve idealite faktörlerinin ışık frekansı ile değiştiği gözlendi. 250 watt çıkış gücü için tüm filtrelerde güneş pili parametreleri incelendi.Oda sıcaklığında 1 MHz frekansta oksitli numune için sığa-gerilim (C-V) özellikleri incelendi. 1/C²-V grafiği kullanılarak; difüzyon potansiyeli VD, engel yüksekliği ?B, verici atomların yoğunluğu ND, tüketim tabakası genişliği WD ve yalıtkan tabaka kalınlığı ? hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği C-V ölçümlerinden 0,68 eV olarak bulundu.