p- Co3O4/ n- In2O3 heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu

Bu çalışmada, p-Co3O4/ n-In2O3 heteroeklem yapı FTO kaplı cam tabanlar üzerine oluşturulmuştur. p-tipi tabaka olarak tercih edilen kobalt oksit filmler, kimyasal banyo depolama ve ultrasonik püskürtme yöntemleriyle elde edilmiştir. n-tipi malzeme olarak In2O3 yarıiletken filmler ultrasonik püskürtme yöntemiyle elde edilmiştir. Numunelerin yapısal özellikleri x- ışını kırınım desenlerinden ve yüzeysel özellikleri alan emisyon taramalı elektron mikroskobu görüntülerinden belirlenmiştir. Filmlerin optik bant aralıkları UV-Vis-NIR absorpsiyon spektrumları yardımıyla belirlenmiştir. Filmlerinin dielektrik sabitleri (n, k, ε1 ve ε∞), plazma frekansı ωp ve taşıyıcı yoğunluğu Nopt gibi optik parametreleri zarf yöntemi yardımıyla saptanmıştır. Bazı fiziksel özellikleri incelenen filmlerden püskürtme yöntemi kullanılarak FTO/ p-Co3O4 / n-In2O3 heteroeklem yapı ultrasonik püskürtme yöntemiyle oluşturulmuş ve bu yapının ideal olmayan diyot özelliği gösterdiği belirlenmiştir. Heteroeklemin akım-voltaj karakteristiğinden; diyotun idealite faktörü (n), engel yüksekliği (𝜙𝑏), doyma akımı (I0) ve seri direnç (Rs) değerleri belirlenmiştir. Anahtar Kelimeler: Kobalt oksit, İndiyum Oksit, Kimyasal Banyo depolama, Ultrasonik püskürtme, FTO/ p-Co3O4 / n-In2O3 heteroeklem diyot