Güneş pili uygulaması için PLD tekniğiyle hazırlanan SnS: Ag katkılı Cu'nun performansı

Bu tezde, (SnS: Ag): Cu/Si güneş pili, SnS: Ag ile farklı oranlarda katkılama yapılarak PLD tekniği kullanılarak Si levhalar üzerinde biriktirilen SnS filmlerinin spesifik özellikleri modifiye edilerek üretilmiştir. Hazırlanan ince filmlerin özelliklerine Cu katkı oranının etkisi farklı teknikler kullanılarak araştırılmıştır. XRD analizi, hazırlanan SnS tozunun polikristal yapısını ve nanokristal yapısı olarak ince filmler için geniş çizgileri gösterir. Ag ve Cu'ya yüksek oranda karşılık gelen ek fazlar ortaya çıkmıştır. Kristalit boyutu 0,05 Cu ile katkılamadan sonra 15,4 nm'den 12,8 nm'ye düşmüş ve Cu oranı 0,15'e yükselerek 14,7'ye yükselmiştir. AFM ve FTIR sonuçları, 0,05 Cu oranında en düşük pürüzlülüğü ve SnS için karakteristik bantları gösterir. Çoğu bant, Cu ile olduğu kadar Ag ile de katkılamadan sonra daha yüksek bir dalga sayısına doğru kaymıştır. SnS: Ag numunesi için optik soğurulma artar ve Cu içeriği ile daha da artar. Cu katkılı bant kenarında kırmızı bir kayma görülmüştür. Bant aralığı, SnS için 2,2 eV'den (SnS: Ag)0,85Cu0,15 için 1,75 eV'ye düşürülmüştür. Doğru akım iletkenliği, metal içeriği ile azaltılmış iki aktivasyon enerjisini gösterir. Hem SnS hem de (SnS: Ag)0,85Cu0,15 p-tipiyken, diğer üçü n-tipidir. I-V karakteristiği, kabul edilebilir bir idealliğe sahip tipik eğrileri gösterir. (SnS: Ag)0,9Cu0,1/pSi hetero bağlantı için %1,28'lik optimum güneş verimliliği ortaya çıkmıştır.