Radyasyonun yarı iletken devre elemanları üzerindeki etkilerinin incelemesi

Uzay nesneleri radyasyona maruz kalmaktadır. Bu radyasyonların farklı çeşitleri vardır: galaktik ışınları, güneş patlamaları radyasyonu ve güneş radyasyonudur. Bu radyasyonlar yarı iletkenlerin kristal yapılarında bozulmalarına neden olmaktadır. Bu durumda iki kutuplu transistörlerin tüm parametrelerinin bozulmasına yol açar. Son yıllarda, bu alanda araştırma yeni yöntemler kullanılarak, yük parçacığının ömür süresi, özdirenç, yarı iletken radyasyon direnci artırmanın yolları gibi farklı çalışmalar yapılmıştır. Ancak bu ilerlemelere rağmen yarı iletkenlerin radyasyon fiziği bölgesinde, daha tam olarak tüm radyasyonun etkilerini açıklayabilen bir transistör modeli yoktur. Transistör modelinin hesaplamaları göz önünde alındığında giriş verileri elektriksel ve geometriksel olmalıdır. Aynı zamanda modelinin yapısı, p-n geçişlerinin akım hesaplaması otomatik olmalıdır. Ayrıca transistör modeli radyasyonun ve sıcaklığının değişiklikleri dikkate alınmalıdır, çünkü yük parçacığının ömür süresi radyasyonu azaltırken, sıcaklık arttığında yük parçacığının ömür süresini artırmaktadır.