RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi

Bu çalışmada, Al/n-Si/SiO2/Au yapının temel parametreleri frekans (50 kHz-5MHz) ve sıcaklığa (80 K-390K) bağlı incelendi. Al/SiO2/n-Si/Au yapının farklı frekanslar ve farklı sıcaklıklarda sığa-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G/w-V) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. C-V, G/w-V ve I-V ölçümlerinden yapının engel yüksekliği (?B), seri direnci (Rs), Fermi enerjisi (Ef), idealite faktörü (n) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak belirlendi. Yapılan deneysel ölçüm ve hesaplamalar, bu tip yapıların hemen hemen tüm parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilime, frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir. Anahtar Kelimeler : MIS yapı, MOS yapı, SiO2, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu