SbXI (X=S,Se,Te) bileşiklerinin yapısal, dinamik ve termodinamik özelliklerinin AB initio yöntemiyle incelenmesi

Bu çalışmada, ortorombik SbX(= S, Se, Te)I bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik, Born etkin yükleri, dielektrik, termodinamik, titreşim özellikleri LDA ve GGA yaklaşımı kullanılarak ab initio yöntemine dayalı yoğunluk fonksiyonel teorisi ile hesaplandı. Enerji bant yapısı, SbXI bileşiklerin dolaylı bir bant aralığına sahip olduğunu göstermektedir. SbXI bileşiklerinin elektronik yük dağılımı Sb-X ve Sb-I bağlarının kovalent-iyonik türü olduğunu göstermektedir. Born etkin yükleri, dielektrik geçirgenlik tensörü ve elastik özellikler yoğunluk fonksiyonel pertürbasyon teorisi çerçevesinde hesaplandı. Hesaplanan bağımsız elastik sabitleri SbXI bileşiğinin mekanik olarak kararlı olduğunu göstermektedir. Bu bileşiklerin bulk modülü, kayma modülü, Young modülü, ses hızı, Poisson oranı, kristal anizotropi ve Debye sıcaklıkları gibi bazı temel fiziksel büyüklükler hesaplanan verilerden elde edilmiştir. SbXI'nın fonon durum yoğunluğu ve fonon dispersiyon eğrileri hesaplanan Hellmann-Feynman güçlerine dayalı direkt yöntemi kullanılarak elde edildi. Γ noktasında kızılötesi ve Raman'da aktif fonon kip frekansları bulundu. Ayrıca, SbXI kristallerin Helmholtz serbest enerjisi, iç enerji, ısı kapasitesi ve entropi gibi termodinamik özellikleri harmonik yaklaşımı kullanılarak incelenmiştir. Elde edilen bulgular mevcut deneysel ve teorik değerlerle karşılaştırıldı.