SILAR yöntemi ile farklı bakır tuz kaynakları kullanılarak yarı iletken Cu2O ince filmlerin depolanması ve karakterizasyonu

Bu çalışmada, ardışık iyonik tabaka adsorpsiyon ve reaksiyon (SILAR) yöntemi ile dört farklı bakır tuz kaynağı [Cu(CH3COO)2•H2O, CuSO4•5H2O, Cu(NO3)2•3H2O, CuCl2•2H2O] kullanılarak cam alttaban üzerine Cu2O ince filmleri hazırlanmıştır. Cu2O ince filmleri 10, 20, 30 ve 40 daldırma döngüleri ile elde edilmiştir. Filmlerin yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel özellikleri araştırılmıştır. UV/Vis spektrofotometresi ile Cu2O ince filmlerin optik özellikleri olan optik geçirgenlik (%T), optik yansıma (%R), soğurma (A), kırılma indisi (n), soğurma katsayısı (α), sönüm katsayısı (k), enerji bant aralığı (Eg) değerleri bulunmuştur. X-ışını kırınım (XRD) analizlerinden Cu2O ince filmlerin kübik yapıda ve polikristal fazda olduğu ortaya çıkarılmıştır. FE-SEM (Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu) görüntülerinden filmlerin genellikle küresel yığılmalar şeklinde oluştuğu bazı filmlerde ise küresel oluşum içinde kısmen çubuk yapılı taneciklerin olduğu görülmüştür. Hall ölçümlerinden Cu2O ince filmlerin p-tipi iletkenlik sergilemiş olduğu tespit edilmiştir. Elektriksel özdirençleri (ρ), 1.25x103-6.10x104 cm hesaplanmıştır. Filmlerin mobilite (μ) değerleri 2.24x101'den 8.74x102 cm2V−1s−1 kadar değişmiştir.