Silisyum tabanlı organik-inorganik diyotların elektriksel karakterizasyonu

Bu çalışmada, sol jel spin kaplama yöntemi ve ısıl buharlaştırma yöntemi ile omik kontaklı n-tipi ve p-tipi Silisyum alttaşlar üzerine organik (CuPc, C60) ve inorganik (ZnO, CdO) filmleri üretilmiş ve bu filmler ile çoklueklem diyotları oluşturulmuştur. Elde edilen inorganik filmlerin XRD desenlerinden, polikristal yapıya sahip oldukları belirlenmiş ve bazı yapısal parametreleri (tanecik boyutu, örgü sabiti ve yapılanma katsayısı) hesaplanmıştır. Filmlerin FESEM görüntüleri incelenmiş ve tüm filmlerin alttaş yüzeyini tamamen kapladığı görülmüştür. FESEM görüntülerinden de filmlerin tanecik boyutları belirlenmiştir. Fabrikasyonu yapılan çoklueklem diyotların sıcaklığa bağlı I-V değişimleri ölçülerek elektriksel karakterizasyonları yapılmıştır. Bu ölçümlerden yararlanılarak diyotların akım-iletim mekanizmaları tayin edilmiştir. I-V ölçümlerinden; diyotların idealite faktörü (n), engel yüksekliği ( ), doyma akımı (I0) ve seri direnç (Rs) değerleri bulunmuştur. Ayrıca oluşturulan diyotların ışığa duyarlılığını ölçmek için farklı aydınlatma şiddetlerinde I-V karakteristikleri de incelenmiştir. Diyotların fotodiyot ölçümleri yapılmış ve sonuçlar incelenmiştir.