Sol-jel tekniği ile hazırlanan Ga3+ ve Eu2+ katkılı Sno2/ZnO ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışma, iki aşamadan oluşmaktadır. Birinci aşamada SnO2/ZnO filmini kararlı bir yapıda oluşturduktan sonra, öncelikli olarak optik ve yapısal özelliklerini daha sonra elektriksel özelliklerini incelemek hedeflenmiştir. İkinci aşamada ise, SnO2/ZnO tasarlanan filminden elde edilen veriler ile çift dopant (Al-Ga, Al-Eu, Al-Sn) katkılı çinko oksit ince filmini oluşturmaktır. Ayrıca filmlerin üretimi sırasında farklı katkılama konsantrasyonları ve farklı monoetilenamin (MEA) oranları kullanılarak dopant ve stabilizör miktarının etkisi de incelenmiştir. Çinko asetat bileşiği, çözücü içinde çözüldükten sonra birinci aşamada istenilen katkılamayı elde edebilmek için farklı oranlarda Sn katkısı ve çözeltinin stabilizasyonu için MEA stabilizör eklenmiştir. İkinci aşamada çift dopant katkısı için farklı oranlarda Al-Ga, Al-Eu, Al-Sn katkıları ve çözeltinin stabilizasyonu için farklı oranlarda MEA stabilizörü eklenmiştir Hazırlanan çözeltiler manyetik karıştırıcı yardımı ile karıştırılıp 24 saat oda sıcaklığında bekletilmiştir. Döndürmeli kaplama yöntemi yardımı ile daha önceden yüzey temizliği yapılmış camlar üzerine 6 ve 10 kat kaplama yapılmıştır. Kaplama esnasında her döndürme işleminden sonra filmlere 300°C'de 10 dakika kurutma işlemi uygulanmıştır. Elde edilen filmler 500°C'de 2 saat ısıl işleme tabi tutulmuştur. Filmlerin optik, elektriksel ve mikro yapısal özelliklerini incelemek amacıyla X-ışını kırınımı (XRD), spektrofotometre, taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve elektrometre cihazları kullanılarak ölçümler yapılmıştır.