V2O5 geçiş metal oksit yarı iletkenlerinin ultrasonik püskürtme tekniği ile üretilmesi ve yapısal, optiksel, elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, Vanadyum pentaoksit (V2O5) filmler, deneysel parametreler ayarlanarak 300 °C - 350 °C - 400 °C - 450 °C alttaş sıcaklıklarında, cam altlıklar üzerinde ultrasonik püskürtme tekniği ile üretilmiştir. Elde edilen yarı iletken ince filmlerin, X-ışını kırınım (XRD) analizleri ve kristal yapıları araştırılmıştır. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanarak ince filmlerin yüzey incelemeleri yapılmıştır. Üretilen filmlerin; yapısal, optik ve elektrik özellikleri alttaş sıcaklığına bağlı olarak nasıl değiştiği incelenmiştir. UV-VIS spektrofotometresi kullanılarak filmlerin, temel optik soğurma ile optik özellikleri araştırılmıştır. Filmlerin özdirençleri, dört nokta uç metodu ile ölçüldüğünde, öz direncin sıcaklığın artışıyla azaldığı gözlendi. Bu analizler sonucunda; film üretmek için kullanılan alttaş sıcaklığının filmlerin elektriksel, optiksel ve yapısal özelliklerini etkilediği sonucuna varılmıştır. Deneysel olarak yaptığımız bu çalışma sonucunda elde ettiğimiz bulgular ile literatürdeki çalışmalar karşılaştırılarak benzerlik ve farklılıklar yorumlanmıştır.