Yarı iletken gaz boşalma yapılarının fotoelektrik özellikleri

YGBY fotodetektör kararsızlıkları farklı gazlarda geniş basınç aralığı, elektrotlar arası mesafe ve elektrot alan çaplarında deneysel olarak araştırıldı. GaAs katotlu gaz boşalma sisteminin AVK'sı incelendi. Kararlı bir voltajla beslendiğinde, farklı osilasyon genlikli akım ve BIE kararsızlıkları meydana gelir. YGBY'deki kararsızlıkların deneysel şartlara bağlı olarak detektör tarafından oluşturulduğu açıkça gösterilmiştir. N-tipli AVK'ya sahip GaAs katotta elektriksel kararsızlıklar hem akım hem de BIE verileri kullanılarak analiz edildi. EL2 olarak adlandırılan derin elektronik seviyelerin varlığı, materyalin N-tipli AVK'sına ve sonuç olarak GaAs detektöre yüksek voltaj uygulandığında akım osilasyonlarına yol açtığı tespit edilmiştir. Sistemde elektriksel domeinlerin dinamiğinden yani onların üretimi, hareketi ve bozulmasından kaynaklanan akım kararsızlıkları gözlenmiştir. Fotodetektöre yüksek bir U0 uygulandığında homojen olmayan uzaysal BIE dağılımının meydana geldiği bunun da sistemin çalışma özelliklerini bozduğu farkedilmiştir.