Yüksek elektron hareketli transistör (high electron mobility transistor, HEMT) distorsiyon analizi

HEMT'ler düşük gürültü ve yüksek frekanslarda çalışmaları nedeniyle günümüzde yaygın olarak analog, sayısal ve kablosuz haberleşme sistemlerinde kullanılmaktadır. Bu çalışmada GaN tabanlı HEMT'in sıcaklığa bağlı olarak Nyquist, Root-locus, Rolletti, Linville ve Stern kararlılık analizi yapılmıştır. Rolletti kararlılık kriteri (K) ve sıcaklıkla değişen saçılma parametresi ile ilişkili kararlılık kriteri (Delta, D) arasındaki bölgesel kararlılık aralıkları belirlenmiştir. Volterra serisi üçüncü dereceye kadar güç serisi şeklinde açılarak küçük işaret transfer fonksiyonları elde edilmiştir. Sisteme uygulanan dört-tonlu küçük işaretten elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenlerinin sıcaklık ve Vgs'ye bağlı olarak analizi yapılmış ve asimetrik IMD bileşenleri de belirlenmiştir.