Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri

Bu çalışmada MBE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet n-tipi InxGa1-xAs/InP (x=0.42, 0.43, 0.44) ve 1 adet n-tipi InxGa1-xAs/GaAs (x=0.20) numuneleri için Hall ölçümleri ve iletkenlik analizleri gerçekleştirildi. İletkenlik, Hall mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-300K sıcaklık aralığında, 0.4T magnetik alan altında ölçüldü. x=0.42, 0.43 ve 0.44 değerlerine sahip numunelerin elektron iletim özlelikleri; elektron ? elektron etkileşmeleri ve zayıf lokalizasyon etkilerini içeren metalik modelle açıklandı. Ayrıca elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmaları belirlendi. x=0.20 değerli numune için ise elektron iletim özellikleri, Boltzmann eşitliğinin tekrarlanan çözümü (ISBE) kullanılarak iki band modeli ile analiz edildi. Teori ve sonuçlar arasında iyi bir uyum gözlemlendi.Anahtar Kelimeler : MBE, InxGa1-xAs/InP, elektron - elektron etkileşmeleri, zayıf lokalizasyon, ISBE, saçılma mekanizmaları