ZnO tabanlı transparan ince film transistör tasarımı ve üretimi

Bu tez çalışmasında oda sıcaklığında ZnO tabanlı transparan ince film transistörlerin (TTFT) tasarımı ve üretimi gerçekleştirilerek, bu transistörlere ait optik ve elektriksel özellikler incelenmiştir. Üretilen TTFT yapısında kanal yarıiletkeni olarak ZnO, drain-source elektrodu olarak ITO, gate elektrodu olarak AZO ve gate dielektriği olarak ise SiO2 materyalleri kullanılmıştır. Tüm yapıya ait görünür bölgedeki ortalama optik geçirgenlik değeri % 84' tür. Eşik voltajı değeri VT 1.3 V ve alan etkili mobilite (µFE) değeri 8 cm2/V.s, on/off oranı 7x103 olarak hesaplanmış ve elde edilen maksimum ID akımı ise ~125 uA olarak ölçülmüştür. Bu tez çalışmasından elde edilen teorik ve deneysel bilgiler, ileride transparan ve esnek ekranlar için üretilmesi planlanan TFT' lerin altyapısını oluşturmuştur.