Theses supervised by Doç. Dr. Şemsettin Altındal
12 theses · Gazi University
Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların elektrik karekteristiklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Al/SiO2/p-Si yapılar, [100] yönelimli, 1 ?cm özdirençli p-Si üzerine oluşturuldu. Bu yapıların frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, seri direnç (RS) ve arayüzey durumlarının (Nss) etkileri dikkate alınarak incelendi. C-V ve G/w-V ölçümleri oda sıcaklığında ve 1 kHz-1 MHz aralığında gerçekleştirildi. Deneysel sonuçlar, yapının hem C hem de G/w değerlerinin artan frekansla azaldığını gösterdi. Düşük frekanslarda C ve G/w' nın bu davranışı, Si/SiO2 arayüzeyinde lokalize olmuş arayüzey durumlarına (Nss) atfedildi. RS' nin C ve G/w üzerinde etkisi yüksek frekanslarda olduğu görüldü. Bu yüzden, gerçek Cc ve Gc/w değerlerini elde etmek için ölçülen Cm ve Gm/w değerleri, RS etkisi dikkate alınarak düzeltildi. Voltaja bağlı Rs profili tüm frekanslar için yaklaşık 0 V civarında bir anormal pik gösterdi. Ayrıca, yapının; kesişim voltajı (V0), engel yüksekliği ( ? B(C-V)), Fermi seviyesi (EF) gibi temel parametreleri farklı frekanslar için C-2-V grafiklerinden elde edildi. Engel yüksekliği, arayüzey durumlarının yoğunluk dağılımı tarafından etkili bir şekilde kontrol edildiği için arayüzey durumlarının yoğunluğunun ve onların zaman sabitlerinin uygulanan gerilimle ve enerjiye bağlı değişimi, admittans spektroskopi metodu ile elde edildi.
NiAu-AlGaN/GaN heteroyapıların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
(Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heteroyapıların (çokluyapıların) akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80-400 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V karakteristiklerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliğinin (?Bo) artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün (n) artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Ayrıca Richardson grafiğinin 80 - 200 K ve 240 - 400 K sıcaklık aralığında iki farklı eğime sahip olduğu gözlendi. Bu şekildeki davranış, Schottky engel homojensizliğine atfedildi ve engel homojensizliğinin çift Gaussian dağılımı ile açıklandı. Sonuç olarak, (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru beslem I-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin TE mekanizması temelinde çift Gaussian dağılımı ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği görüldü. Ayrıca (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru ve ters beslem C-V ve G/w-V karakteristiklerinden, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) dikkate alınarak 80 - 400 K sıcaklık aralığında 1 MHz için incelendi. C-V ve G/w-V sonuçlarından, Nss ve Rs değerlerinin çokluyapının elektriksel özellikleri üzerinde oldukça etkili olduğu gözlendi. Doğru ve ters beslemde ölçülen yüksek frekans (1 MHz) C ve G/w değerleri, gerçek Cc ve Gc/ ? değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi. AC elektriksel iletkenliğin ( ? ac) ise sıcaklıkla azalmakta olduğu gözlendi. Doğru öngerilimdeki farklı gerilimler için Arrhenius eğrilerinin eğiminden aktivasyon enerjileri hesaplandı. Hesaplanan değerlerin gerilimden bağımsız olduğu gözlendi.
Au/SrTiO3/n-Si (MFS) Schottky diyotların elektriksel parametrelerinin I-V, C-V ve DLTS metodu ile incelenmesi
Bu çalışmada, n tipi silisyum (Si) alttaş üzerine radyo frekans (RF) püskürtme metoduyla hazırlanmış SrTiO3 ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu araştırıldı. Au/SrTiO3/n?Si yapıların, frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) karakteristikleri seri direnç (Rs) ve arayüzey durumlarının (Nss) etkisi dikkate alınarak 5 kHz-2MHz aralığında incelendi. Yapının deneysel C-V-f ve G/w-V-f karakteristiklerinin oldukça frekansa bağlı olduğu gözlendi. Frekansa ve voltaja bağlı Rs ve Nss dağılımları sırasıyla admittans ve Hill Coleman metodu kullanılarak elde edildi. Buna ilaveten arayüzey durumlarının dağılım profili (Nss), etkin bariyer yüksekliği ( ? e) göz önüne alınıp enerjinin (Ec-Ess) bir fonksiyonu olarak doğru öngerilim I-V ölçümlerinden elde edildi. Arayüzey durumlarının ortalama değeri 1013 eV-1cm-2 civarında bulundu. C-V eğrilerindeki pikler Nss ve Rs'nin varlığına atfedildi. Rs'nin C-V ve G/ ? -V karakteristiklerine etkisi yüksek frekanslarda daha fazladır çünkü C ve G/ ? değerleri artan frekansla azalır. Nss'nin varlığı bu tür yapıların C-V ve G/ ? -V eğrilerinin ideal durumdan sapmasına yol açar. Arayüzey durumları özellikle düşük frekanslarda ac sinyalini kolayca takip edebilir ve ömürlerine bağlı olarak kapasitansa katkıda bulunurlar. Aynı zamanda C-V ve G/ ? -V eğrilerinde görülen pik değerlerinin voltaj ekseninde kaymasına neden olurlar. Ayrıca Au/SrTiO3/n-Si yapının derin seviye tuzakları, Derin Seviye Sönüm Spektroskopisiyle (DLTS) incelendi. 235 meV aktivasyon enerjisine sahip derin bir seviye ölçüldü ve yakalama tesir kesiti ( ? ) ile tuzak yoğunluğu (Nt) parametreleriyle birlikte detaylı olarak verildi.
Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Al/SiO2/p-Si metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapıların/Schottky diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80-400 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V karakteristiklerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliği ( ? Bo) ve idealite faktörünün (n) sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. ? Bo'nin artan sıcaklıkla artmasına karşın n'nün azalmakta olduğu gözlendi. Aynı zamanda aktivasyon enerjisi / Richardson grafiğinin oda sıcaklığının altındaki sıcaklıklarda doğrusallıktan saptığı gözlendi. Bu şekildeki davranış, Al/p-Si arayüzeydeki Schottky engel homojensizliğine atfedildi. Bu engel homojensizliğinin bir Gaussian dağılım (GD) gösterdiğine delil elde etmek için ? Bo- q/2kT grafiği çizildi ve bu grafikten ortalama engel yüksekliği = 1.136 eV, standart sapmanın ise ? o= 0.159 V civarında olduğu gözlendi. Böylece modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden, ve Richardson sabiti A* değerleri sırasıyla, 1.138 eV ve 37.23 Acm-2K-2 olarak elde edildi. Bu değer p-Si için bilinen 32 A K-2cm-2 teorik Richarson sabiti değerine oldukça yakındır. Sonuç olarak, Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların doğru-beslem I-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin TE mekanizması temelinde bir GD ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği görüldü. Ayrıca Al/SiO2/p-Si Schottky diyotlarının C-V ve G/w-V karakteristikleri, seri direnç (Rs), arayüzey durum yoğunluğu (Nss) dikkate alınarak 80-400 K sıcaklık ve, ? 8 V voltaj aralığında 1 MHz için incelendi. Deneysel sonuçlardan, seri dirençten dolayı doğru beslem C-V grafiğinin bir pik verdiği ve bu pik pozisyonunun artan sıcaklıkla pozitif voltaja doğru kaymakta olduğu gözlendi. C-V ve G/w-V ölçüm sonuçlarından, Nss ve Rs değerlerinin MYY yapının elektriksel özellikleri üzerinde oldukça etkili olduğu gözlendi. MYY yapının G/w-V eğrilerinde, belirgin bir voltaj değerinde gözlenen kesişme ideal bir MYY davranışa göre beklenmeyen bir durumdur. Buna ilaveten, MYY yapının ters ve doğru beslemde ölçülen yüksek frekans (1 MHz) C ve G/w değerleri, gerçek C ve G/w değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi.
Yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Bu çalışmanın amacı, yalıtkan tabakası steril cam bir kutu içinde oda sıcaklığında uzun bir süre bekletilerek doğal olarak oluşturulmuş Al/p-Si Schottky diyotların (SD) temel elektriksel parametrelerinin elde edilmesidir. Bu diyotlar aynı şartlarda aynı Si çeyrek yaprak (wafer) üzerinde üretilmişlerdir. Öncelikle bu diyotların Schottky engel yüksekliği ( ? B), idealite faktörü (n), arayüzey durum yoğunlukları (Nss) ve seri direnci (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri, deneysel akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerinden elde edilmiştir. Ayrıca etkin engel yüksekliğinin ( ? e) voltaja bağımlılığı göz önüne alınarak, Al/p-Si SD' lar için Nss' lerin enerji dağılım profilleri oda sıcaklığındaki I-V verilerinden elde edildi. Hem doğru beslem I-V hem de ters beslem C-2-V verilerinden elde edilen temel diyot parametreleri diyottan diyota değiştiği için bir Gaussian fonksiyonu ile fit edilmiştir. Ayrıca bu diyotlar arasından seçilen örnek bir Al/p-Si SD için I-V karakteristikleri 80-300 K sıcaklık aralığında incelenmiş ve diyotun akım iletim mekanizmaları hakkında bilgi edinilmiştir.Deneysel sonuçlar, metal-yarıiletken (MY) arasındaki yalıtkan tabakanın varlığının, arayüzey durumlarının, engel yüksekliklerindeki homojensizliklerin ve seri direncin yapının elektriksel karakteristikleri üzerinde önemli bir rol oynadığını göstermiştir.
Au/SiO2/n-GaAs (MOY) yapıların elektrik ve dielektrik karakteristiklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
Au/SiO2/n-GaAs (MOS) yapıların; seri direnç (Rs), arayüzey durumları (Nss) ve ac elektrik iletkenlik ( ? ac) gibi elektriksel karakteristikleri ile dielektrik sabiti ( ? '), dielektrik kayıp ( ? "), dielektrik kayıp tanjantı (tan ? ), reel ve imajiner elektrik modülü ( ? ' and ? ") gibi dielektrik özelliklerinin frekans, sıcaklık ve oksit tabaka kalınlığına bağımlılığı, 80-350 K sıcaklık aralığında değişik frekans ve oksit tabaka kalınlıkları için deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/w-V) ölçümleri kullanılarak araştırıldı. Deneysel sonuçlar göstermiştir ki; özellikle yüksek sıcaklık ve düşük frekanslarda, arayüzey durum yoğunluğunun (Nss) dağılımı ile gevşeme zamanı ?? ve arayüzeyin termal olarak yeniden yapılanmasına bağlı olarak C ve G/w değerleri frekans, sıcaklık ve oksit tabaka kalınlığına oldukça bağımlıdır. Au/SiO2/n-GaAs (MOS) yapısının Rs ve Nss değerleri sırasıyla Nicollian ve Hill-Coleman metotları kullanılarak hesaplanmış olup bu değerler artan frekansla azalmaktadır. Artan sıcaklıkla azalan seri direnç, artan oksit kalınlığına bağlı olarak lineer olarak artmaktadır. Dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, kayıp tanjant ve elektrik modülünün frekans, sıcaklık ve oksit tabaka kalınlığının kuvvetli bir fonksiyonu olduğu bulundu. ?', ?'' ve tan? değerleri artan frekansla azalırken reel ve imajiner elektrik modülü artan frekansla artmaktadır. Ayrıca, ?' ve ?'' artan sıcaklıkla artarken, reel ve imajiner elektrik modülü artan sıcaklıkla azalmaktadır. Artan oksit kalınlığına bağlı olarak dielektrik sabiti ?? ' değerleri azalırken, tan ?? ve elektrik modülünün imajiner bileşeni olan M" değerleri artmaktadır.
Metal-yalıtkan-yarı iletken (MIS) yapılarda elektrik ve dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi
Bu çalışmada, termal oksidasyon yoluyla büyütülmüş, 32 à kalınlıklı biryalıtkan/oksit arayüzey tabakasına sahip metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) MIS yapı, (100) yönelimli, 280 µm kalınlıklı ve 8 â¦.cm özdirençli bor katkılı(p-tipi) tek kristal silikon üzerine oluşturuldu. Doğru ve ters beslem kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/Ï-V) ölçümleri, oda sıcaklığında, seri dirençÏ(Rs), arayüzey durum yoğunluğu (Nss) dikkate alınarak 10 kHz-10 MHzfrekans, (-5 V) - (+5 V) voltaj aralığında incelendi. Deneysel sonuçlar hemelektrik hem de dielektrik parametrelerin oldukça güçlü bir şekilde frekans vevoltaja bağımlı olduğunu göstermektedir. Her frekans için, C-V eğrileri bir pikvermekte ve bu pikin büyüklüğü ve yeri frekansa bağlı olarak değişmektedir.Aynı zamanda Rs-V dağılım profili tüketim bölgesinde düşük frekanslar için birpik vermekte ve bu pik artan frekansla kaybolmaktadır. Dielektrik sabiti ε' vedielektrik kayıp ε'' değerleri artan frekansla azalırken ac elektriksel iletkenlikÏac ise artmaktadır. Arayüzey durumları, özellikle düşük frekanslarda acsinyalini rahatlıkla takip edebildiğinden dolayı ilave bir kapasitans ve iletkenlikdeğeri sağlamakta ve bu katkı gevşeme zamanı ve uygulan ac sinyalininfrekansına bağlıdır.laveten, 53 à kalınlıklı yalıtkan arayüzey tabakasına sahip MIS yapının,dielektrik ve elektriksel özellikleri frekans ve sıcaklığa bağlı olarak 10 kHz-1MHz frekans ve 300-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Dielektrik sabiti ε',dielektrik kayıp ε'' ve kayıp açı tanδ değerlerinin artan sıcaklıkla arttığı fakatδartan frekansla azalmakta olduğu gözlendi. AC elektriksel iletkenliğin (Ïac) iseÏhem frekans hem de sıcaklıkla artmakta olduğu gözlendi. Aktivasyon enerjisideğerleri hesaplandı ve elektriksel ölçümlerden elde edilen aktivasyon enerjisideğerleriyle iyi uyum içinde olduğu gözlendi. Sonuç olarak, C-V ve G/Ï-VÏölçüm sonuçları, Nss ve Rs değerlerinin MIS yapının hem elektriksel hem dedielektriksel özelliklerini önemli ölçüde etkilediğini göstermektedir.Anahtar Kelimeler : MIS yapı, elektriksel ve dielektrik özellikler, yalıtkan tabakaarayüzey durumları, seri direnç, ac elektriksel iletkenlik,elektrik modülleri
(Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi
Bu çalısmada, magnetron sputtering yöntemi ile (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schotty diyotları üretilmis ve bu diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) ölçümleri oda sıcaklıgında, karanlıkta, ısık altında ve farklı frekanslar için gerçeklestirilmistir. Doyum akımı (I0), sıfır beslem engel yüksekligi (FBo), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) degerleri, sırası ile karanlıkta 4,2x10-10 A, 0,755 eV, 1,24 ve 896 ; aydınlıkta ise 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 ve 419,7 olarak bulunmustur. Ayrıca diyotun kırılma voltajının da 21 V civarında oldugu görülmüstür. Aydınlatma islemi (C-V) ve (G/w-V) egrilerinde ters beslem yönünde 150 mV civarında ve artan aydınlanma siddeti ile artan bir kaymaya sebep olmustur. Bu davranısın aydınlanma ile ara yüzey durum yogunluklarında degismeye neden olan metal yarı iletken arasında uyarılan sabit yüklerden kaynaklandıgı seklinde açıklanmıstır. Ayrıca seri direncin (Rs) aydınlanma ile azaldıgı ve kapasitan-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) özelliklerinde anlamlı degisiklere neden oldugu görülmüstür. I-V özellikleri ideal davranısa sahip degildir ve idealite faktörü (n), yarı iletken ile dengede olan ara yüzey durum yogunluklarına (Nss) tarafından kontrol edilmektedir.
Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
Metal-ferroelektrik-yalıtkan-yarıiletken (MFIS) yapının, frekans ve sıcaklıga baglı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, seri direnç (Rs) ve yüzey durum (Nss) etkileri dikkate alınarak, sırasıyla 1 kHz-5 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralıgında incelendi. Nss ve Rs degerlerinin önemli ölçüde frekans ve sıcaklıga baglı oldugu tespit edildi. Rs ve Nss'e baglı olarak Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapının C-V-f ve G/w-V-f karakteristikleri, özellikle düsük frekanslarda, genis bir frekans dagılımı göstermektedir, C-V-T ve G/w-V-T grafikleri dogru beslemde Rs ve Nss'e baglı olarak anormal pikler vermektedir. Bu piklerin pozisyonu yıgılma bölgesinden tüketim bölgesine yönelmekte, kapasitans ve iletkenligin maksimum degerleri artan sıcaklıkla artmaktadır. Ölçülen kapasitans (Cm) ve iletkenlik (Gm/w) degerleri MFIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenligini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmistir. Her frekans için, Rs-V egrileri tersinim ve tüketim bölgeleri arasında anormal pikler göstermekte ve pik pozisyonları artan frekansla dogru beslem bölgesine kaymaktadır. C-2-V egrisinin, genis bir voltaj bölgesinde dogrusal olması, arayüzey durumlar ve tersinim tabaka yüklerinin, tüketim bölgesinde ac sinyali takip edemedigini göstermektedir. Nss artan frekansla eksponansiyel olarak azalmaktadır. C-V ve G/w-V karakteristikleri yarıiletkenle, yüzey durumlarının dengede olmasına baglı olarak beklenen v davranısı göstermektedir. MFIS yapı için dielektrik sabiti (G'), dielektrik kayıp (G'') ve dielektrik kayıp açı (tanI) arastırılmıs ve C-V ve G/w-V ölçümlerinden hesaplanmıstır. Dielektrik parametreler oldukça yüksek sıcaklıkta ve düsük frekanslarda, frekans ve sıcaklıga hassasiyet göstermektedir. G' ve G'' artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Arayüzey kutuplanması düsük frekanslarda daha kolay gerçeklesebilmekte ve yarıiletken/yalıtkan arayüzeyinde arayüzey durum yogunlugu sayısı, MFIS yapının dielektrik özelliklerinin iyilestirilmesine katkı saglamaktadır.
Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Bu çalışmada, Al/SiO2/p-Si Schottky diyotlarının akım-voltaj(I-V) karakteristikleri 295-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Deneysel doğru belsem I-V karakteristiklerinin Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre analizi, sıfır beslem engel yüksekliğinin ?B0 nın artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün azaldığını göstermiştir. Bu davranışlar, metal yarıiletken ara yüzeyinde engel yüksekliğinin Gaussyen bir dağılımına atfedildi. Gaussyen dağılımına bir delil olarak ?B0 - q/2kT grafiği çizildi ve bu grafikten ?Bo=1.18 eV ve standart sapma ?o=0.1386 V olarak elde edildi. Bu standart sapma değeri kullanılarak modifiye Richardson grafiğinden elde edilen Richardson sabitini 33.26 A/cm2K2 değeri 32 A/cm2K2 değerine oldukça yakındır. Aynı zamanda ara yüzey durumlarının enerjiye göre (ESS-EV) dağılım profili doğru belsem I-V ölçümlerinden voltaja bağlı etkin engel yüksekliği değeri kullanılarak elde edildi ve bu yüzey durumlarını artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Buna ilaveten C-2-V grafiğinden , diffizyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (??) ve ? tüketim tabakasının genişliği (WD) 500 kHz için oda sıcaklığında hesaplandı.
MIS yapıların frekans ve radyasyona bağlı temel elektriksel parametreleri
Bu çalışmada, Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların bazı temel elektrikselparametreleri frekans ve radyasyona bağlı incelendi. Al/SiO2/p-Si yapınınkapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/Ï-V) ölçümleri farklıfrekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu ölçümlerden yapınınseri direnç, arayüzey durumları gibi bazı temel elektriksel parametreleri60frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co gama ışını kaynağındafarklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalartekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapılarınhemen hemen tüm temel elektiksel parametrelerinin yapıdaki arayüzeydurum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilimine, frekansa veradyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiği gözlenmiştir.Bilim Kodu : 202. 1. 147Anahtar Kelimeler : MIS yapı, frekansa bağlılık, radyasyon etkisi, seri direnç,arayüzey durumlarSayfa Adedi : 54Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL
(Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri
iii(Al-Ti10W90+PtSi)/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞABAĞLI TEMEL PARAMETRELERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif MARILGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2005ÖZETBu çalışmada, [111] doğrultusunda büyütülmüş ve özdirenci 0.7 â¦.cm olan n-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınakım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 79-360 K sıcaklıkaralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğindendolayı bir Gaussian dağılıma sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerindensıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (ΦBO) artış ve idealite faktöründe (n)ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcsklığın tersi ile değişimigrafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapmadeğerleri sırasıyla Φ bo=0.815 eV ve Ïs=0.09 V olarak elde edildi. Böylece,modife edilen Ln(I0/T 2) - q2 Ï o /2k2T 22nin (q/kT) eğrisinde ortalama engelyüksekliği ve Richardson sabitinin değeri sırasıyla 0.82 eV ve 104.85 Acm-2K-2olarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınsıcaklığa bağlı I-V karakteristislerinden Φb'nin Gaussian dağılıma sahip olmasıTE mekanizmasıyla açıklandı.Bilim Kodu : 404. 05. 01Anahtar Kelimeler : Amorf metal film, I-V ölçümleri, Engel homojensizliği,TünellemeSayfa Adedi : 55Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL