AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanoyapısının büyütülmesi ve I-V özelliklerinin incelenmesi

iiiAl0.2Ga0.8As/GaAs (100) NANOYAPISININ BÜYÜTÜLMESİ VE I-VÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Hilal GÜMÜŞGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜEylül 2005ÖZETBu çalışmada SEMİCON VG80H Moleküler Demet Epitaxy (MBE) cihazıkullanılarak Al0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısı büyütüldü. BüyütülenAl0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısının yapısal analizi yüksekçözünürlüklü X-ışını kırınımı yöntemi (HRXRD) ile yapıldı. Rocking vereflectivity ölçümleri D8 discover X-ray cihazı kullanılarak yapıldı. X-ışınıcihazında ölçülen rocking eğrileri hem kinematik hem de dinamik metotlarıkullanan LEPTOS programı ile simule edildi. Elde edilen Rocking eğrilerindekiuydu piklerinin varlığı büyütülen epitabakaların yeterli incelikte vehomojenlikte olduğunu kanıtlamaktadır. Büyütülen Al0.2Ga0.8As/GaAssüperörgü yapısının elektriksel karakteristiklerinin incelenebilmesi içinAu/GaAs kontak yapıldı. Au/Al0.2Ga0.8As/GaAs yapısının akım-voltaj-sıcaklık(I-V-T) karakteristikleri geniş bir sıcaklık aralığında (80 K- 400 K) incelendi.Bilim Kodu : 404.05.01Anahtar Kelimeler : MBE, AlxGa1-xAs/GaAs, elektriksel karakterizasyon,yapısal karakterizasyon, I-VSayfa Adedi : 100Tez Yöneticisi : Prof. Dr.Süleyman ÖZÇELİK