Al/p-Si metal-yarıiletken (MS) yapıların hazırlanması ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi

Bu tez çalışması beş bölümden oluşmaktadır. Tezin birinci ve ikinci bölümde literatür incelemesi, tezin motivasyonu ve katkısı hakkında bilgiler verilmiştir. Üçüncü bölümde MS kontaklar ile MIS kontaklar oluşumu genel bilgiler verilmiştir. Dördüncü bölümde ise Al/p-Si MS yapıları hazırlanarak onların oda sıcaklığında dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε"), dielektrik kayıp açısı (tanδ), ac elektrik iletkenlik (σac), reel ve imajiner elektrik modülü (Μ' and Μ") gibi dielektrik özelliklerinin 5kHz-1MHz frekans aralığı ve oda sıcaklığında deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri kullanılarak araştırıldı. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin güçlü bir şekilde frekansa olduğunu göstermektedir. ε' ve ε'' artan frekansla azalır. Aynı zamanda, ac elektriksel iletkenlik (σac) artan frekans artmaktadır. 1/C²-V grafiği kullanılarak; V0 potansiyeli, engel yüksekliği ΦB, verici atomların yoğunluğu ND, tüketim tabakası genişliği WD ve Em değeri hesaplandı. Sonuç bölümünde tezin önemi ve sonuçları hakkında bilgi verilmiştir.