Bor katkılı CdS ince filmlerine ve CdS/Cu2S güneş pillerinin fotovoltaik parametrelerine ultraviyole ışınımının etkisi

Farklı yoğunluklarda bor (B) ile katkılandırılan CdS ince filmler, kimyasal püskürtme yöntemi ile cam ve SnO2 altlıklar üzerine büyütüldü. Bor katkılı CdS ince filmlerinin kristal yapılarına, elektriksel ve optik özelliklerine ultraviyole (UV) ışığının etkisi B/Cd oranının bir fonksiyonu olarak incelendi. X-ışını kırınımı çalışmaları tüm örneklerin hegzagonal yapıda olduğunu gösterdi. Işınlandırılmış ve ışınlandırılmamış örneklerin tercihli yönelimi bor katkısı ile (101) düzleminden (002) düzlemine değiştiği tespit edildi. Bor katkısı ile (002) düzlemindeki pik şiddetinin artışı, kristal yapıdaki B2O3 fazından kaynaklanmaktadır. Bor katkılı örneklerde örgü parametreleri ışınlandırmadan sonra sabit kaldı. Ayrıca bor katkılı örneklerin UV ile ışınlandırmadan önce ve sonra optik geçirgenlik, fotolüminesans spekturumları, özdirenç ve taşıyıcı yoğunlukları bulundu ve elde edilen sonuçlar yorumlandı. Bor katkılı CdS/Cu2S güneş pillerinde UV ışınımının etkisi araştırıldı ve bor katkılı güneş pillerinin fotovoltaik parametrelerinin UV ışığına karşı daha dayanıklı olduğu tespit edildi.