Çinko ftalosiyanin tabanlı heteroeklemin elektriksel özelliklerinin belirlenmesi

Bu çalışmada (100) yönelimine sahip ve özdirenci 1-10 ?cm olan p-Si kristalleri kullanıldı. Bir Çinko Ftalosiyanin türevi olan C96H146N8O8 zinc (2,3,9,10,16,17,23,24-Octakis(octyloxy)-29H,31H-phthalocyanine), (oc-ZnPc) bileşiğinin 1,36x10-4 molarlık bir çözeltisi hazırlandı. Çözelti metanol kullanılarak hazırlandı. Dönel kaplama metodu kullanılarak oc-ZnPc nin p-Si üzerinde ince filmi hazırlandı. Alüminyum yüksek vakum ortamında, termal olarak buharlaştırıldı. Böylece Al/oc-ZnPc/p-Si yapısı oluşturuldu.Al/oc-ZnPc/p-Si yapısının oda sıcaklığında ve karanlık ortamda akım gerilim (I-V) ve kapasite gerilim (C-V) ölçümleri yapıldı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. İdealite faktörü ve engel yüksekliği gibi diyot parametreleri, lnI-V grafiği kullanılarak belirlendi. İdealite faktörü 1,44 ve engel yüksekliği 0,78 eV olarak hesaplandı. Norde fonksiyonları kullanılarak F(V)-V grafikleri çizildi. Bu grafikten seri direnç 5,46 k? olarak hesaplandı. C-V ölçümleri 0,2-5 MHz frekans aralığında yapıldı. Bu ölçümlerden frekans değeri artarken kapasite değerinin azaldığı gözlendi.Ayrıca Al/oc-ZnPc/p-Si diyotunun 40-100 mW/cm2 ışık şiddeti altında I-V ölçümleri yapıldı. Işık şiddeti arttıkça ters beslem akımının da arttığı gözlendi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği anlaşıldı ve diyotun optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceği gösterilmiş oldu