Radyasyonun Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) yapılarının akım-gerilim (I-V) özellikleri üzerine etkisi

Üretilen yüksek dielektrikli MFIS yapılarının temel elektriksel parametreleri üzerindeki radyasyon etkilerini belirlemek için, hazırlanan yapı 60Co γ ışınlarının yüksek enerjisine maruz bırakıldı. Bu amaçla, standart termiyonik emisyon teorisi (TE), Cheung ve Norde fonksiyonları gibi çeşitli yöntemler kullanılarak radyasyondan önce ve sonra ileri voltaj I-V verilerinden idealite faktörü (n), sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (Bo) ve seri direnç değerleri (Rs) hesaplanmıştır. Ek olarak, ara durumlarının Nss 'in enerjiye bağlı profili, voltaja bağlı n,  ve Rs değerleri dikkate alınarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, artan radyasyon dozu ile ters doyma akımı (Io), n ve Rs değerlerinin arttığını, değerinin azaldığını göstermektedir. Nss hesaplamasında Rs değeri dikkate alındığında, önemli ölçüde azaldığı bulunmuştur. Radyasyon sonrası Nss arasında gözlenen düşük tutarsızlıklar, kullanılan yüksek dielektrikli ferroelektrik ara katmanın, MS'nin radyasyona karşı direncinde bir artışa yol açtığını göstermektedir. Bu, özellikle uzayda sert radyasyon nedeniyle uydulardaki radyasyona dirençli bir elektronik cihaz için daha önemlidir. Sonuç olarak, Nss, Rs ve ara katmanın varlığı, elektriksel parametrelerin hesaplanmasında dikkate alınması gereken I-V özellikleri üzerinde daha etkilidir.