Ni-Tİ şekil hafızalı alaşıma silisyum takviyesiyle tel erozyonda işlenebilirliğinin incelenmesi

Bu çalışmada, Ni-Ti şekil hafızalı alaşıma Si elementi katılarak üretilen numunelerin yapısal ve tel erezyonda işlenebilirlik özellikleri incelenmiştir. Numuneler %1,2,3 silisyum içerecek şekilde numuneler hazırlanmıştır. Ark eritme yöntemiyle külçe formda üretilmiştir. İstenilen kristal kafes yapısını elde edebilmek için numuneler 870 0C' de 24 saat ısıl işleme tabi tutulmuş ve ardından buzlu suda soğutulmuştur. Kristal yapıyı incelemek için XRD analizleri yapıldı. Ölçüm oda sıcaklığında incelendiğinde bütün numunelerin östenit fazda olduğu tespit edildi. Si katkı oranı arttıkça, Si sinyal yoğunluğunun tüm analiz alanı boyunca düzenli biçimde arttığı; ancak belirli bölgelerde yığılma, ada oluşumu ya da Si zengin ikincil fazlara işaret eden lokal yoğunluk artışlarının oluşmadığı gözlemlenmiştir. Bu durum, Si atomlarının Ni-Ti matrisinde çözündüğünü ve alaşımın kimyasal olarak tekdüze bir yapı sergilediğini göstermektedir EDX analizleri, farklı bölgelerden alınan noktasal ölçümler üzerinden gerçekleştirilmiş olup, Si ilavesi yapılan numunelerde Si elementine ait karakteristik piklerin belirgin şekilde ortaya çıktığı ve Si içeriğinin katkı oranı arttıkça düzenli bir artış eğilimi gösterdiği tespit edilmiştir Numunelerin mikro yapısal ölçekteki elementel dağılımını incelemek amacıyla gerçekleştirilen elementel mapping analizleri, Ni, Ti ve Si elementlerinin tüm numune yüzeyi boyunca homojen bir şekilde dağıldığını göstermiştir. Kesme genişliği kerf açısından değerlendirildiğinde, ANOVA sonuçlarına göre silisyum oranı %79,18 ile en baskın parametre olarak belirlenmiştir.Yüzey pürüzlülüğü için silisyum oranı %73,30 katkı oranı ile en etkili parametre olarak belirlenmiştir. Burada silisyum değeri %2'ye kadar Ra değerini düşürmüş daha fazla oranda katıldığında tekrar artırmıştır. Bu bağlamda alaşıma %2'ye kadar silisyum katılması, Ra üzerinde etkili olacaktır. En uygun kerf değerinin %2 silisyum içeren numunenin time off 200 μs' de dielektrik bar basıncı 14 bar Wire feed 10 m/min'de 246 µ olarak tespit edilmiştir. En uygun Ra değerleri yine %2 silisyum içeren numunenin Time off 200 μs' de dielektrik bar basıncı 14 bar Wire feed 10 m/min'de 2,34 µm olarak tespit edilmiştir.