P-tipi çinko oksit (ZnO) yarıiletken ince filminin atmalı katodik vakum ark depolama yöntemi ile elde edilmesi ve karakterizasyonu

Bu çalışmada atmalı katodik vakum ark depolama sistemi kullanılarak cam alt tabanlar üzerine depolanan ZnxNy filmlerinin oksidasyonu ile N katkılı ZnO ince filmler elde edilmiştir. Tavlama sıcaklığının depolanan ZnxNy ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optiksel özellikleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Bundan başka, N katkılı ZnO filmler O2-N2 karışım atmosferinde cam alt tabanlar üzerine depolanmışlardır. Elde edilen filmlerin 450 °C' de tavlanmasıyla p-tipi ZnO:N ince filmler elde edilmiştir. O2'nin N2' ye oranının elde edilen ve tavlanan filmlerin elektriksel ve optiksel özellikleri üzerindeki etkisi çalışılmıştır. Ayrıca, n-tipi (100) yönelimli tek kristal silisyum alt tabakaları üzerine, ZnxNy ve 5/3' lük O2/N2 oranıyla ZnO:N filmleri depolanmıştır. Elde edilen bu filmler p-ZnO/n-Si heteroeklem yapılar elde etmek için 450 °C' de 1 saat tavlanmışlardır. Bu yapıların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçülmüştür.