Schottky diyotlar ve bazı elektriksel parametrelerinin incelenmesi

Bu çalışmada, (100) yönelimine sahip, özdirenci 110?cm olan pSi kristalleri kullanıldı. Etil alkolde Quercetin çözülerek hazırlanan 8.27´10 6 M'lık çözeltiden pSi üzerine damlatılarak ve çözücünün buharlaştırılması pSi/ Quercetin/Al Schottky engel diyotu oluşturuldu. pSi/ Quercetin/Al Schottky engel diyotumuzun elektronik ve arayüzey durum yoğunluk dağılım özellikleri oda sıcaklığında akımgerilim (IV)' den elde edildi. (IV) grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. lnIV grafiği kullanılarak idealite faktörü 1,49 ve engel yüksekliği 0.84eV olarak hesaplandı. Cheung fonksiyonları kullanılarak diyotumuz için dV/d(lnI)I ve H(I)I grafikleri çizildi. dV/d(lnI)I grafiğinden seridirenç 3,23MW ve idealite faktörü 1,68 olarak hesaplandı. H(I)I grafiğinden seri direnç 3,24MW ve engel yüksekliği 0,82eV olarak hesaplandı. Diyotumuzun (IV) verileri kullanılarak arayüzey durum yoğunluklarının enerji dağılımları hesaplandı. Arayüzey durum yoğunluğu N ss (0,652Ev) eV için 5,012x10 13 cm 2 eV ?1 ile (0,762Ev) eV için 3,206x10 12 cm 2 eV ?1 olarak hesaplandı. Arayüzey durum yoğunluklarının üstel bir şekilde band ortasından valans bandın tepesine doğru arttığı görüldü.