Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada, Al/SiO2/p-Si Schottky diyotlarının akım-voltaj(I-V) karakteristikleri 295-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Deneysel doğru belsem I-V karakteristiklerinin Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre analizi, sıfır beslem engel yüksekliğinin ?B0 nın artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün azaldığını göstermiştir. Bu davranışlar, metal yarıiletken ara yüzeyinde engel yüksekliğinin Gaussyen bir dağılımına atfedildi. Gaussyen dağılımına bir delil olarak ?B0 - q/2kT grafiği çizildi ve bu grafikten ?Bo=1.18 eV ve standart sapma ?o=0.1386 V olarak elde edildi. Bu standart sapma değeri kullanılarak modifiye Richardson grafiğinden elde edilen Richardson sabitini 33.26 A/cm2K2 değeri 32 A/cm2K2 değerine oldukça yakındır. Aynı zamanda ara yüzey durumlarının enerjiye göre (ESS-EV) dağılım profili doğru belsem I-V ölçümlerinden voltaja bağlı etkin engel yüksekliği değeri kullanılarak elde edildi ve bu yüzey durumlarını artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Buna ilaveten C-2-V grafiğinden , diffizyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (??) ve ? tüketim tabakasının genişliği (WD) 500 kHz için oda sıcaklığında hesaplandı.