131
Archived Theses
0
DOIs Assigned
0%
DOI Rate
Archived Theses
7. sınıf fen ve teknoloji dersi ile fen bilgisi dersi eğitim programlarının başarıya etkisinin karşılaştırması
Bu çalışmanın amacı, Fen ve Teknoloji dersi ile Fen Bilgisi dersi eğitim programlarına göre öğrenim gören 7. Sınıf öğrencilerinin Kuvvet ve Hareket konusu ile ilgili başarıları arasında anlamlı bir fark olup olmadığını araştırmaktır. Çalışma, Polatlı Mıhçıoğlu İlköğretim Okulunda 43 öğrenciden oluşan bir örneklemde gerçekleştirilmiş olup, zayıf deneysel desen türlerinden statik grup öntest-sontest desenindedir. Örneklemi oluşturan deney ve kontrol gruplarının hem öntest hem de sontest puanlarına göre anlamlı bir fark gösterip göstermediğini test etmek için bağımsız t-testleri yapıldı. Öntest puanlarını ortak değişken olarak atayarak deney ve kontrol gruplarının sontest puanlarına göre anlamlı bir farklılık gösterip göstermediğini test etmek amacıyla ise, tek faktörlü kovaryans analizi (ANCOVA) yapıldı. Buna göre, üç esas bulgu elde edildi. İlk olarak, deney ve kontrol gruplarının arasında anlamlı bir fark bulunmadığı gözlendi. İkinci olarak, sontest puanlarına göre grupların istatistiksel anlamlı fark gösterememesine rağmen (p<0.05) , uygulamada anlamlı fark gösterdiği bulundu (eta-kare=0.112). Ve son olarak, öntest puanları kontrol edildiğinde, deney ve kontrol gruplarının performanslarında sadece istatistiksel anlamlı fark değil, uygulamada da anlamlı fark olduğu gözlemlendi. Sonuç olarak, çalışma Mıhçıoğlu İlköğretim Okulu 7. Sınıflarında Fen ve Teknoloji dersi eğitim programına göre Kuvvet ve Hareket konusunun işlenmesinin daha etkili bir yöntem olduğuna dair bulgular ortaya çıkarmıştır.
Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma yapısının özellikleri
H2 gazı ortamında düzlemsel bir boşalma hücresindeki gaz kırılması farklı elektrotlar arası mesafeler, farklı elektrot çapları ve farklı basınçlarda deneysel olarak araştırıldı. GaAs katotlu gaz boşalma sisteminin Akım-Voltaj (AVK) ve Radyasyon-Voltaj (RVK) karakteristiği incelendi. H2 gazından elde edilen deneysel sonuçlar hava ortamındaki sonuçlarla karşılaştırıldı. Kararlı boşalma bölgeleri ve kontrol edilebilir çalışma modu belirlendi. Ayrıca yarıiletken gaz boşalma yapısının (YGBY) kararsız olduğu şartlar da belirlendi. AVK ve RVK' nın N-tipli kararsızlıkları tespit edildi. EL2 olarak adlandırılan derin elektronik seviyelerin varlığının, materyalin N-tipli NDD' sine ve sonuç olarak GaAs fotodetektöre yeterince yüksek voltaj uygulandığında akım osilasyonlarına yol açtığı tespit edilmiştir. Ayrıca sistemin dinamik özelliği 150 saniye zaman aralığında incelendi.
Bazı ağır çekirdeklerin (n,f) tesir kesitlerinin hesaplanması
Bu çalışmada 230,232Th, 231-233Pa, 234-238U ve 236-244Pu çekirdeklerinin fisyon tesir kesitleri hesaplandı. Hesaplanan fisyon tesir kesitleri deneysel değerlerle karşılaştırıldı. Hesaplamalar için ALICE-ASH ve CEM95 bilgisayar programları kullanıldı. Hesaplamalar 1-20 MeV gelme enerjili nötronlarla gerçekleştirildi. CEM95 ile yapılan hesaplamalarda her bir çekirdek için seviye yoğunluğu parametrelerinin (IFAM) tüm sistematikleri kullanıldı. CEM95 programıyla fisyon hesaplamalarında tek hörgüçlü fisyon engeli (NHUMP) sistematiği kullanıldı. Ayrıca CEM95 hesaplamalarında makroskobik fisyon engel (IB) için ve fisyon engelinin uyarılma enerjisine bağımlılığını (IBE) ifade etmek için Barashenkov ve arkadaşlarının sistematikleri kullanıldı. ALICE-ASH hesaplamalarında ise nükleonların denge öncesi durumu için hibrid veya geometrik bağımlı hibrid model ve denge durumu için Weisskopf-Ewing model kullanıldı. ALICE-ASH ile yapılan hesaplamalarda dönme sonlu aralık fisyon engeli ve dönme sıvı damlası engeli sistematikleri kullanıldı.
Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Al/SiO2/p-Si metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapıların/Schottky diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80-400 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V karakteristiklerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliği ( ? Bo) ve idealite faktörünün (n) sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. ? Bo'nin artan sıcaklıkla artmasına karşın n'nün azalmakta olduğu gözlendi. Aynı zamanda aktivasyon enerjisi / Richardson grafiğinin oda sıcaklığının altındaki sıcaklıklarda doğrusallıktan saptığı gözlendi. Bu şekildeki davranış, Al/p-Si arayüzeydeki Schottky engel homojensizliğine atfedildi. Bu engel homojensizliğinin bir Gaussian dağılım (GD) gösterdiğine delil elde etmek için ? Bo- q/2kT grafiği çizildi ve bu grafikten ortalama engel yüksekliği = 1.136 eV, standart sapmanın ise ? o= 0.159 V civarında olduğu gözlendi. Böylece modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden, ve Richardson sabiti A* değerleri sırasıyla, 1.138 eV ve 37.23 Acm-2K-2 olarak elde edildi. Bu değer p-Si için bilinen 32 A K-2cm-2 teorik Richarson sabiti değerine oldukça yakındır. Sonuç olarak, Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların doğru-beslem I-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin TE mekanizması temelinde bir GD ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği görüldü. Ayrıca Al/SiO2/p-Si Schottky diyotlarının C-V ve G/w-V karakteristikleri, seri direnç (Rs), arayüzey durum yoğunluğu (Nss) dikkate alınarak 80-400 K sıcaklık ve, ? 8 V voltaj aralığında 1 MHz için incelendi. Deneysel sonuçlardan, seri dirençten dolayı doğru beslem C-V grafiğinin bir pik verdiği ve bu pik pozisyonunun artan sıcaklıkla pozitif voltaja doğru kaymakta olduğu gözlendi. C-V ve G/w-V ölçüm sonuçlarından, Nss ve Rs değerlerinin MYY yapının elektriksel özellikleri üzerinde oldukça etkili olduğu gözlendi. MYY yapının G/w-V eğrilerinde, belirgin bir voltaj değerinde gözlenen kesişme ideal bir MYY davranışa göre beklenmeyen bir durumdur. Buna ilaveten, MYY yapının ters ve doğru beslemde ölçülen yüksek frekans (1 MHz) C ve G/w değerleri, gerçek C ve G/w değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi.
Furanil oksazol ve furanil izoksazol moleküllerinin yapısal, elektronik ve çizgisel olmayan optik özelliklerinin teorik incelenmesi
Bu çalışmada furanil oksazol ve furanil izoksazol moleküllerinin 12 tane izomerinin yapısal, titreşimsel, elektronik ve çizgisel olmayan optik özellikleri hesaplanmıştır. Hesaplamalarda yoğunluk fonksiyonu teorisinin Becke üç parametreli enerji fonksiyoneli (B3LYP) yaklaşımı 6-31++G(2d,p) temel seti ile kullanılmıştır. B3LYP/6-31++G(2d,p) modeli kullanılarak öncelikle moleküllerin geometrik optimizasyonları yapıldı ve optimize geometride moleküllerin elektronik enerjileri, dipol momentleri, moleküler orbital enerji farkları (HOMO-LUMO) ile polarizebiliteleri, anizotropik polarizebiliteleri ve hiperpolarizebiliteleri hesaplandı. Hesaplamalarda GAUSSIAN 03W paket programı kullanıldı.
Yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Bu çalışmanın amacı, yalıtkan tabakası steril cam bir kutu içinde oda sıcaklığında uzun bir süre bekletilerek doğal olarak oluşturulmuş Al/p-Si Schottky diyotların (SD) temel elektriksel parametrelerinin elde edilmesidir. Bu diyotlar aynı şartlarda aynı Si çeyrek yaprak (wafer) üzerinde üretilmişlerdir. Öncelikle bu diyotların Schottky engel yüksekliği ( ? B), idealite faktörü (n), arayüzey durum yoğunlukları (Nss) ve seri direnci (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri, deneysel akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerinden elde edilmiştir. Ayrıca etkin engel yüksekliğinin ( ? e) voltaja bağımlılığı göz önüne alınarak, Al/p-Si SD' lar için Nss' lerin enerji dağılım profilleri oda sıcaklığındaki I-V verilerinden elde edildi. Hem doğru beslem I-V hem de ters beslem C-2-V verilerinden elde edilen temel diyot parametreleri diyottan diyota değiştiği için bir Gaussian fonksiyonu ile fit edilmiştir. Ayrıca bu diyotlar arasından seçilen örnek bir Al/p-Si SD için I-V karakteristikleri 80-300 K sıcaklık aralığında incelenmiş ve diyotun akım iletim mekanizmaları hakkında bilgi edinilmiştir.Deneysel sonuçlar, metal-yarıiletken (MY) arasındaki yalıtkan tabakanın varlığının, arayüzey durumlarının, engel yüksekliklerindeki homojensizliklerin ve seri direncin yapının elektriksel karakteristikleri üzerinde önemli bir rol oynadığını göstermiştir.
AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri
Bu çalışmada AlGaN/GaN ve AlGaN/AlN/GaN/AlN yapısına sahip 6 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 22 ? 350 K sıcaklığı arasında, Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı yoğunlukları aynı sıcaklık aralıklarında 0 ? 1,5 T manyetik alan altında ölçülmüştür. Manyeto iletim sonuçları, Nicel Hareketlilik Spektrumu Analizi (QMSA) yöntemi kullanılarak analiz edilmiş ve numunelerdeki 2-boyutlu ve 3-boyutlu iletim mekanizmaları birbirlerinden ayrıştırılmıştır. Hall ölçüm sonuçları ve QMSA ile ayrıştırılmış 2-boyutlu iletim mekanizmasına ait sonuçlar ayrı ayrı saçılma analizlerinde ve katmanlar arası gerginlik hesabında kullanılmış, aralarındaki fark irdelenmiştir. Yapılan analizlerle, 2-boyutlu iletimin gerçekleştiği kuvantum kuyusunun genişliği, iletimin gerçekleştiği arayüzeyin bozukluğu ve gerginlikleri hesaplanmıştır. Yapısal özelliklere ait bu parametrelerin başarılı tayini, ileride elektriksel özellikleri daha iyi numunelerin üretilmesine yol gösterecektir.
Fizik problemleri çözmede düşünce deneylerinin yeri: Birinci ve beşinci sınıf fizik öğretmen adayları üzerine bir inceleme
Bu araştırma, öğrencilerin bir problem çözme davranışı içinde tasarladıkları düşünce deneylerini ve bu düşünce deneylerinin yapılarını belirlemeyi amaçlayan, iki aşamadan oluşan bir örnek olay çalışmasıdır.Uygulamanın birinci aşaması Fizik Öğretmenliği Anabilim Dalı'nda öğrenim gören 22 birinci sınıf ve 28 beşinci sınıf öğrencisiyle yapılmıştır. Hareket yasalarıyla ilgili 6 açık uçlu sorudan oluşan ölçek kullanılmış ve öğrencilerin verdikleri cevaplar bir düşünce deneyi tasarlayabilmeleri açısından yapılan kodlamalarla incelenmiştir. Düşünce deneyi özellikleri göz önüne alınarak ikinci aşama için katılımcılar belirlenmiştir. Ayrıca testin ortalama güçlük düzeyi ve madde analizi yapılarak kullanılan soruların orta güçlükte olduğu tespit edilmiş ve güvenirlik belirlenmiştir.İkinci aşamada ise ilk oturumda belirlenen 5 birinci sınıf ve 4 beşinci sınıf öğrencisiyle 4 açık uçlu sorudan oluşan başka bir testte ortaya koyacakları düşünce deneylerini belirlemek amacıyla katılımsız gözlem yapılmıştır. Gözlemi takiben öğrencilerle yarı yapılandırılmış görüşmelere başvurulmuştur. Verilerin analizi sonucunda ortaya çıkan düşünce deneylerinin yapıları karşılaştırılmış ve sınıflar arasında ortaya çıkan farklar ve benzerlikler tartışılmıştır.
Lityum ve üç elektronlu atom iyonlarının gj-faktörlerine relativistik kütle katkısının hesaplanması
IV ÖZET Bu çalışmada Hylleraas tipi fonksiyonlardan kurulan dalga fonksiyonları kullanılarak, temel haldeki Lityum ve üç elektronlu atom iyonlarının g_- faktörlerine relativistik kütle katkısını hesaplamak için bir bilgi sayar programı geliştirilmiştir. Bu program kullanılarak Li, Be+, B+2 ve C+3 için hesaplamalar yapılmış ve bu sistemler için bulunan nümerik değerler kullanılarak +4 +5 N ve 0 için değerler elde edilmiştir. Bulunan sonuçlar, deney sonuçlarına hata sınırları içinde uygun g,- faktörü veren teorik çalışma sonuçlarıyla çok iyi uyuşmaktadır.
4-Metoksi Salisilaldehit'ten türetilen bazı Schiff bazlarının kristalografik incelenmesi
(E)-2-((4-klorofenilimino)metil)-5-metoksifenol' ve `(E)-5-metoksi-2-((o-tolilimino)metil)fenol' bileşiklerine ait moleküler ve kristal yapıları tek kristal X-ışını kırınımı yöntemi ile tayin edilmiş ve moleküllerin ilgili fragmanlarının aromatiklikleri sayısal olarak HOMA ve HOMHED indisi aracılığıyla hesaplanmıştır.`(E)-2-((4-klorofenilimino)metil)-5-metoksifenol' molekülü monoklinik sistemde kristallenmektedir. Şiddet verileri içerisinden I > 2sigma(I) şartına uyan 1210 adet gözlenen yansıma direk yöntemler kullanılarak çözülmüş ve R=0,0392 değerine kadar yapı arıtımı gerçekleştirilmiştir. Bileşiğin O-H???N tipinde moleküliçi ve C-H???O tipinde moleküller arası etkileşimlerle kararlı olduğu tespit edilmiştir. Molekülün fenol, fenil ve kelat halkalarına ait HOMA ve HOMHED değerleri hesaplanarak sırasıyla 0,967; 0,752; 0,942 değerlerine ulaşılmıştır.`(E)-5-metoksi-2-((o-tolilimino)metil)fenol' molekülü monoklinik sistemde kristallenmektedir. Şiddet verileri içerisinden I > 2sigma(I) şartına uyan 1836 adet gözlenen yansıma direk yöntemler kullanılarak çözülmüş ve R=0,0326 değerine kadar yapı arıtımı gerçekleştirilmiştir. Bileşiğin O-H???N tipinde moleküliçi, C-H???pi ve pi???pi tipinde moleküller arası etkileşimlerle kararlı olduğu tespit edilmiştir. Molekülün fenol, fenil ve kelat halkalarına ait HOMA ve HOMHED değerleri hesaplanarak sırasıyla 0,931; 0,754; 0,965 değerlerine ulaşılmıştır. Bileşiğin kristal yapısında varlığı bu yıl keşfedilen hidrojen H köprülü kelat halkası yardımlı pi-istif etkileşimleri de gözlenmiştir.Anahtar sözcükler: Schiff bazları, HOMA, HOMHED, pi-pi etkileşimi.