Işığın, P3HT poly( 3-hexylthiophene) organik filmi ile elde edilen Al/P3HT/p-Si yapısının elektriksel özelliklerine etkisi

Bu tez çalışmasında (100) doğrultusunda büyütülmüş, özdirenci 5-10 ?.cm arasında olan p-tipi silisyum yarıiletken kristal kullanıldı. Silisyum RCA temizlik metoduyla yıkandı. Daha sonra Silisyumun mat yüzeyine yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak tavlama işlemi için N2 ortamında 570 ºC sıcaklıkta 3 dakika bekletilerek omik kontak yapıldı. Omik kontaklı Silisyumun parlak yüzeyine P3HT organik film çözeltisinden birkaç damla damlatıldı ve kurumaya bırakıldı. Böylelikle organik film elde edildi. Elde edilen P3HT/p-Si yapısı üzerine yeniden yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak Al/P3HT/p-Si yapısı elde edildi.Diyodun karakteristik parametreleri, akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden belirlendi. Işıksız ortamda Al/P3HT/p-Si diyotunun engel yüksekliği 0.78 eV idealite faktörü 2.43, ışıklı ortamda ise engel yüksekliği 0.76 eV idealite faktörü 4.07 olarak belirlendi. Bu sonuç elde ettiğimiz diyotun ışıklı ortama duyarlı olmasına atfedildiAnahtar Kelimeler: Organik film, p-tipi Silisyum, Elektriksel Özellik