Au/Ru(II) kompleks/n-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada yeni sentezlenmiş Ru(II) kompleksi ile oluşturulan Au/Ru(II) kompleks/n-Si yapısının elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlılığı incelendi. Bu amaçla n-Si alttaşa önce Au metalinin buharlaştırılması ve 420 C'de tavlanmasi ile omik kontak oluşturuldu. Ardından dönel kaplama yöntemi ile Ru(II) kompleks ince filmi n-Si yarıiletken üzerine oluşturuldu ve Au metalinin oluşturulan yapı üzerine buharlaştırılması ile Au/Ru(II) kompleks/n-Si diyotu oluşturulmuş oldu. Oluşturulan yapının doğrultucu özelliğe sahip olduğu görüldü. Au/Ru(II) kompleks/n-Si diyotunun akım-gerilim (I-V) ölçümleri geniş sıcaklık aralığında (77-350 K) gerçekleştirildi. Diyotun temel elektriksel parametreleri olan idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri her sıcaklık için hesaplandı. Yapılan hesaplamalarda, yapının idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sıcaklık arttıkça azaldığı, engel yüksekliğinin ise sıcaklık ile orantılı olarak arttığı görülmüştür. Ayrıca, yapının I-V ölçümleri güneş simülatörü altında farklı ışık yoğunluklarında ölçülmüş, yapının ışığa karşı duyarlı oldukları görüldü. Yapının ışığa duyarlılık, açık devre gerilimi (VOC) ve kısa devre akımı (ISC) gibi fotoelektriksel özelliklerinin ışık yoğunluğu ile artmakta olduğu görüldü. Bu sonuç yapının arayüzeyine düşen ışık miktarı arttıkça, arayüzeyde oluşan elektron-deşik çiftlerinin artmasına atfedildi.