Kitosan arayüzey tabakalı ve tabakasız Au/Kitosan/n-Si/Au yapılarının elektriksel karakterizasyonu ve aygıt yapımında kullanılması

Bu çalışmada, referans olarak Au/n-Si/Au yapısının idealite faktörü, bariyer yüksekliği hesaplandı. Bu parametreler sırası ile 1.21 ve 0.678 eV olarak saptandı. Aynı şekilde kitosan maddesi ile oluşturulan Au/kitosan/n-Si/Au yapısının da idealite faktörü, bariyer yüksekliği hesaplandı. Hesaplamalar sonucu bu parametreler sırası ile 2.69 ve 0.734 eV olarak belirlendi. Her iki maddenin Norde fonksiyonu ile bariyer yüksekliği ve seri dirençleri hesaplandı. Au/n-Si/Au yapısına ait bu değerler sırası ile 0.62 eV ve 546.1 ohm olarak bulundu. Au/kitosan/n-Si/Au yapısına ait bu değerler ise 0.747 eV ve 38805.9 ohm olarak belirlendi. Elde edilen yapıların değişen ışık şiddeti altında doluluk oranları ve verimleri belirlendi. İki materyalin özellikleri karşılaştırarak; Au/Kitosan/n-Si/Au yapısının metal- yalıtkan- yarıiletken (MIS) fotodiyot davranışı göstermiş olduğu ve bu malzeme ile fotodiyot üretilebileceği anlaşıldı.