Organik/inorganik yapıların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalı?mada, Al/Alpc(aluminium phtalocyanine)/p-Si yapısının Schottky diyotuüretildi ve bu diyotun 80-300K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım-voltaj (I-V) veoda sıcaklığında kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri alındı. Akım-voltaj ölçümlerdenyararlanarak diyodun idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (?B0) ve doyum akımıdeğerleri hesaplandı. I-V ölçümleri -2V ile +2V gerilim aralığında 20 mV adımla yapıldı. Nordefonksiyonları yardımıyla seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Diyotun idealite faktörü (n) veseri direnç (Rs) sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup, artan sıcaklıkla azaldığı ,engel yüksekliğininde artan sıcaklıkla arttığı belirlendi.C?V grafiğinden de anlaşılacağı gibi diyotun ters beslemde kapasite değerleri dahaküçük değerler olarak gözlenirken düz beslemde gerilim arttıkça kapasitenin arttığıgözlenmiştir.