Organik tabanlı diyotların sıcaklığa bağlı akım-gerilim karakterizasyonu

Bu tezde, (100) yönelimine sahip p-Si ve C21H12N3O2 formülüne sahip Coumarin 30 molekülü kullanılarak Al/Coumarin 30/p-Si yapısı oluşturuldu. Al/Coumarin 30/p-Si yapısının akım-gerilim (I-V) ölçümleri 300-380 K aralığında alındı ve yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği gözlemlendi. Diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel özellikleri I-V verileri kullanılarak 300-380 K aralığında incelendi. Sıcaklık artar iken idealite faktörünün ve seri direncin azaldığı ve engel yüksekliğinin azaldığı gözlemlendi. Al/Coumarin 30/p-Si yapısının engel yüksekliğinin klasik Al/p-Si metal-yarıiletken (MS) kontağından daha yüksek olduğu Coumarin 30 aratabakası ile Al/p-Si MS kontağının engel yüksekliğinin arttırıldığı görüldü. Yapının I-V ölçümleri aynı zamanda oda sıcaklığında 100 mW/cm2 ışık altında gerçekleştirildi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği gözlemlendi. Ayrıca diyotun oda sıcaklığında kapasite-gerilim (C-V) ve kapasite-frekans (C-f) ölçümleri gerçekleştirildi. C ışık altında gerçekleştirildi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği gözlemlendi. C2-V eğrisi kullanılarak yapının elde edilen engel yüksekliği değerinin I-V verileri ile elde edilenden yüksek olduğu gözlemlendi.